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1. (WO2018180724) 半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180724 国際出願番号: PCT/JP2018/010863
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 19.03.2018
IPC:
H01L 33/46 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44
コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46
反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
10
反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
出願人:
東芝マテリアル株式会社 TOSHIBA MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 8, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522, JP
学校法人 名城大学 MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区塩釜口一丁目501番地 501, Shiogamaguchi 1-chome, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502, JP
発明者:
上山 智 KAMIYAMA Satoshi; JP
佐々木 敦也 SASAKI Atsuya; JP
平松 亮介 HIRAMATSU Ryosuke; JP
平林 英明 HIRABAYASHI Hideaki; JP
代理人:
特許業務法人サクラ国際特許事務所 SAKURA PATENT OFFICE, P.C.; 東京都千代田区内神田一丁目18番14号 ヨシザワビル Yoshizawa Bldg., 18-14, Uchikanda 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010047, JP
優先権情報:
2017-06299028.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約:
(EN) This semiconductor light emitting element having an emission peak wavelength of 395-425 nm includes: a substrate which has a first surface and a second surface and in which at least one surface selected from the group consisting of the first surface and the second surface has protrusions and recesses; a semiconductor layer in contact with the first surface; and a multilayer reflection film in contact with the second surface or a surface of the semiconductor layer. The multilayer reflection film has a structure including a plurality of first dielectric films and a plurality of second dielectric films, the first dielectric films and the second dielectric films being alternately stacked.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur ayant une longueur d'onde de pic d'émission de 395 à 425 nm comprenant: un substrat qui a une première surface et une seconde surface et dans lequel au moins une surface sélectionnée dans le groupe constitué par la première surface et la seconde surface a des saillies et des évidements; une couche semi-conductrice en contact avec la première surface; et un film de réflexion multicouche en contact avec la seconde surface ou une surface de la couche semi-conductrice. Le film de réflexion multicouche a une structure comprenant une pluralité de premiers films diélectriques et une pluralité de seconds films diélectriques, les premiers films diélectriques et les seconds films diélectriques étant empilés en alternance.
(JA) 発光ピーク波長が395nm以上425nm以下である半導体発光素子は、第1の面と第2の面とを備え、第1の面および第2の面からなる群より選択される少なくとも一つ面が凹凸を有する基板と、第1の面に接する半導体層と、第2の面または半導体層の表面に接する多層反射膜と、を具備する。多層反射膜は、複数の第1の誘電体膜と複数の第2の誘電体膜とを有し且つ第1の誘電体膜および第2の誘電体膜が交互に積層された構造を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)