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1. (WO2018180724) 半導体発光素子

Pub. No.:    WO/2018/180724    International Application No.:    PCT/JP2018/010863
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 20 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/46
H01L 33/10
Applicants: TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.
東芝マテリアル株式会社
MEIJO UNIVERSITY
学校法人 名城大学
Inventors: KAMIYAMA Satoshi
上山 智
SASAKI Atsuya
佐々木 敦也
HIRAMATSU Ryosuke
平松 亮介
HIRABAYASHI Hideaki
平林 英明
Title: 半導体発光素子
Abstract:
発光ピーク波長が395nm以上425nm以下である半導体発光素子は、第1の面と第2の面とを備え、第1の面および第2の面からなる群より選択される少なくとも一つ面が凹凸を有する基板と、第1の面に接する半導体層と、第2の面または半導体層の表面に接する多層反射膜と、を具備する。多層反射膜は、複数の第1の誘電体膜と複数の第2の誘電体膜とを有し且つ第1の誘電体膜および第2の誘電体膜が交互に積層された構造を備える。