国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018180672) III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/180672    International Application No.:    PCT/JP2018/010716
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 20 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/38
C23C 16/02
C23C 16/30
C23C 16/34
C23C 16/52
H01L 21/205
Applicants: FURUKAWA CO., LTD.
古河機械金属株式会社
Inventors: GOTO Hiroki
後藤 裕輝
ISHIHARA Yujiro
石原 裕次郎
Title: III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
Abstract:
III族窒化物半導体結晶で構成され、厚さが300μm以上1000μm以下であり、表裏の関係にある露出した第1及び第2の主面はいずれも半極性面であり、第1及び第2の主面各々に対してX線を前記III族窒化物半導体結晶のm軸に平行に入射し測定したXRC(X-ray Rocking Curve)の半値幅の差が、500arcsec以下であるIII族窒化物半導体基板(自立基板(30))を提供する。