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1. (WO2018180671) 回路装置
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国際公開番号: WO/2018/180671 国際出願番号: PCT/JP2018/010715
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 19.03.2018
予備審査請求日: 19.07.2018
IPC:
H05K 7/20 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
出願人:
株式会社オートネットワーク技術研究所 AUTONETWORKS TECHNOLOGIES, LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市西末広町1番14号 1-14, Nishisuehirocho, Yokkaichi-shi, Mie 5108503, JP
住友電装株式会社 SUMITOMO WIRING SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市西末広町1番14号 1-14, Nishisuehirocho, Yokkaichi-shi, Mie 5108503, JP
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
平谷 俊悟 HIRATANI, Shungo; JP
田原 秀哲 TAHARA, Hideaki; JP
服部 佑一 HATTORI, Yuuichi; JP
原口 章 HARAGUCHI, Akira; JP
池田 潤 IKEDA, Jun; JP
中村 有延 NAKAMURA, Arinobu; JP
代理人:
河野 英仁 KOHNO, Hideto; JP
河野 登夫 KOHNO, Takao; JP
優先権情報:
2017-06833230.03.2017JP
発明の名称: (EN) CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT
(JA) 回路装置
要約:
(EN) In the present invention, a first placement part (23a) of a heat-dissipating body (23) has placed thereon a conductor (22) via an insulating member (24). A FET (4) is electrically connected to the conductor (22). When a current flows across the drain and source of the FET (4), the FET (4) generates heat. A second placement part (25a) of a circuit substrate (25) is placed on the conductor (22). The conductor (22) and the insulating member (24) are interposed between the first placement part (23a) and the second placement part (25a). In the heat-dissipating body (23), a first extension part (23b) extends from the first placement part (23a), and in the circuit substrate (25), a second extension part (25c) extends from the second placement part (25a). The first extension part (23b) faces the second extension part (25c) across a gap, and a microcomputer (51) is placed on the top surface of the first extension part (23b). The microcomputer (51) outputs a control signal that instructs ON or OFF of the FET (4).
(FR) Dans le dispositif de circuit selon la présente invention, un conducteur (22) est placé sur une première partie de positionnement (23a) d'un corps de dissipation de chaleur (23), par l'intermédiaire d'un élément isolant (24). Un transistor à effet de champ (4) est connecté électriquement au conducteur (22). Lorsqu'un courant circule à travers le drain et la source du transistor à effet de champ (4), le transistor à effet de champ (4) génère de la chaleur. Une seconde partie de positionnement (25a) d'un substrat de circuit (25) est placée sur le conducteur (22). Le conducteur (22) et l'élément isolant (24) sont interposés entre la première partie de positionnement (23a) et la seconde partie de positionnement (25a). Dans le corps de dissipation de chaleur (23), une première partie d'extension (23b) s'étend à partir de la première partie de positionnement (23a), et dans le substrat de circuit (25), une seconde partie d'extension (25c) s'étend à partir de la seconde partie de positionnement (25a). La première partie d'extension (23b) fait face à la seconde partie d'extension (25c) à travers un espace, et un micro-ordinateur (51) est disposé sur la surface supérieure de la première partie d'extension (23b). Le micro-ordinateur (51) délivre en sortie un signal de commande qui ordonne l'activation ou l'arrêt du transistor à effet de champ (4).
(JA) 放熱体(23)の第1載置部分(23a)には、絶縁部材(24)を介して導電体(22)が載置されている。FET(4)は導電体(22)に電気的に接続されている。FET(4)のドレイン及びソース間に電流が流れた場合、FET(4)は発熱する。導電体(22)に回路基板(25)の第2載置部分(25a)が載置されている。導電体(22)及び絶縁部材(24)は第1載置部分(23a)及び第2載置部分(25a)の間で挟まれている。放熱体(23)では、第1延設部分(23b)が第1載置部分(23a)から延設されており、回路基板(25)では、第2延設部分(25c)が第2載置部分(25a)から延設されている。第1延設部分(23b)は第2延設部分(25c)に間隔を隔てて対向しており、第1延設部分(23b)の上面にはマイコン(51)が載置されている。マイコン(51)は、FET(4)のオン又はオフを指示する制御信号を出力する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)