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1. (WO2018180670) 基板処理方法及び記憶媒体
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国際公開番号: WO/2018/180670 国際出願番号: PCT/JP2018/010713
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 19.03.2018
IPC:
H01L 21/302 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
高橋 信博 TAKAHASHI, Nobuhiro; JP
浅田 泰生 ASADA, Yasuo; JP
松永 淳一郎 MATSUNAGA, Junichiro; JP
代理人:
特許業務法人弥生特許事務所 YAYOY PATENT OFFICE; 神奈川県横浜市中区弥生町2丁目15番1号ストークタワー大通り公園3 601号 601, Storktower Odori-Park 3, 2-15-1, Yayoicho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310058, JP
優先権情報:
2017-06596529.03.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理方法及び記憶媒体
要約:
(EN) [Problem] To provide a technique for obtaining a uniform etching amount when a SiGe layer formed on a wafer is selectively etched with respect to at least one of an Si layer, an SiO2 layer, and an SiN layer. [Solution] When SiGe layers 100 in a wafer W in which the SiGe layers 100 and Si layers 101 are alternately stacked and exposed in a recess 103 are etched by side etching, a ClF3 gas and an HF gas are simultaneously supplied to the wafer W. Accordingly, the etch rates for the respective SiGe layers 100 can be made uniform, and it becomes possible to obtain a uniform etching amount for the respective SiGe layers 100.
(FR) La présente invention aborde le problème de la réalisation d'une technique permettant d'obtenir un niveau de gravure uniforme lorsqu'une couche de SiGe formée sur une galette est gravée sélectivement par rapport à au moins l'une parmi une couche de Si, une couche de SiO2 et une couche de SiN. Avec la solution selon l'invention, lorsque les couches de SiGe (100) dans une galette (W), dans laquelle les couches de SiGe (100) et les couches de Si (101) sont empilées et exposées en alternance dans un évidement (103), sont gravées par gravure latérale, un gaz ClF3 et un gaz HF sont fournis simultanément à la galette (W). Par conséquent, les vitesses de gravure pour les couches de SiGe (100) respectives peuvent être rendues uniformes et il devient possible d'obtenir une quantité de gravure uniforme pour les couches de SiGe (100) respectives.
(JA) 【課題】ウエハに形成されたSiGe層を、Si層、SiO層及びSiN層の内の少なくとも一種に対して選択的にエッチングするにあたって、エッチング量を揃える技術を提供すること。 【解決手段】 交互に積層されたSiGe層100とSi層101とが凹部103内に露出したウエハWにおいてSiGe層100をサイドエッチングによりエッチングするにあたって、ウエハWにClFガスとHFガスとを同時に供給している。そのため各SiGe層100のエッチング速度が均一になり、各SiGe層100のエッチング量を揃えることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)