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1. (WO2018180580) 半導体装置および電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/180580 国際出願番号: PCT/JP2018/010404
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 16.03.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
田中 陽 TANAKA, Yo; JP
曽田 真之介 SODA, Shinnosuke; JP
小林 浩 KOBAYASHI, Hiroshi; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-06684230.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置および電力変換装置
要約:
(EN) Provided are a semiconductor device in which an electronic component is mounted on a circuit substrate at a higher density or in a smaller size compared with a conventional semiconductor device, and a power conversion device. The semiconductor device is provided with a semiconductor element (1), a circuit substrate (120) disposed to overlap the semiconductor element (1) in plan view, and a terminal portion (4) connecting the semiconductor element (1) and the circuit substrate (120). The circuit substrate (120) includes an electrode portion (121) formed on a surface facing the semiconductor element (1). The terminal portion (4) is bonded with the electrode portion (121) by means of a bonding member (122).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel un composant électronique est monté sur un substrat de circuit à une densité supérieure ou ayant une plus petite taille par comparaison avec un dispositif à semi-conducteur classique, et un dispositif de conversion de puissance. Le dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un élément semi-conducteur (1), d'un substrat de circuit (120) disposé de façon à chevaucher l'élément semi-conducteur (1) dans une vue en plan, et d'une partie borne (4) connectant l'élément semi-conducteur (1) et le substrat de circuit (120). Le substrat de circuit (120) comprend une partie électrode (121) formée sur une surface faisant face à l'élément semi-conducteur (1). La partie borne (4) est liée à la partie électrode (121) au moyen d'un élément de liaison (122).
(JA) 従来の半導体装置と比べて、電子部品が回路基板上に高密度に実装されている、または小型化されている半導体装置および電力変換装置を提供する。半導体素子(1)と、平面視において半導体素子(1)と重なるように配置されている回路基板(120)と、半導体素子(1)と回路基板(120)とを接続している端子部(4)とを備える。回路基板120)は半導体素子(1)側に向いた面上に形成された電極部(121)を含む。端子部(4)は、接合部材(122)により電極部(121)と接合されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)