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1. (WO2018180575) 固体撮像素子、電子機器、並びに製造方法
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国際公開番号: WO/2018/180575 国際出願番号: PCT/JP2018/010393
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 16.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
福岡 慎平 FUKUOKA Shinpei; JP
富樫 秀晃 TOGASHI Hideaki; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-06980331.03.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, ELECTRONIC DEVICE, AND PRODUCTION METHOD
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEURS, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像素子、電子機器、並びに製造方法
要約:
(EN) The present disclosure relates to: a solid-state imaging element which enables further reduction of the element layout area; an electronic device; and a production method. According to the present invention, a photoelectric conversion element provided on a first surface of a semiconductor substrate is connected to a floating diffusion and a gate of an amplifier transistor, which is provided on a second surface of the semiconductor substrate, via a through electrode that is provided between the first surface and the second surface of the semiconductor substrate and is connected to the photoelectric conversion element. With respect to this pixel structure, a dielectric layer is provided between through electrodes on the second surface, and a shield electrode is provided on the inner side of the dielectric layer when viewed from the second surface side. This dielectric layer is formed to be thicker than a gate insulating film of a transistor that is arranged on the second surface side. The present disclosure is applicable to, for example, a stacked backside-illuminated solid-state imaging element.
(FR) La présente invention concerne : un élément d'imagerie à semiconducteurs qui permet une réduction supplémentaire de la zone de disposition d'éléments ; un dispositif électronique ; et un procédé de production. Selon la présente invention, un élément de conversion photoélectrique disposé sur une première surface d'un substrat semiconducteur est connecté à une diffusion flottante et à une grille d'un transistor amplificateur, qui est disposée sur une seconde surface du substrat semi-conducteur, par l'intermédiaire d'une électrode traversante qui est disposée entre la première surface et la seconde surface du substrat semiconducteur et qui est connectée à l'élément de conversion photoélectrique. Par rapport à cette structure de pixel, une couche diélectrique est disposée entre les électrodes sur la seconde surface, et une électrode de blindage est disposée sur le côté interne de la couche diélectrique lorsqu'elle est vue depuis le second côté de surface. Cette couche diélectrique est formée pour être plus épaisse qu'un film isolant de grille d'un transistor qui est disposé sur le second côté de surface. La présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un élément d'imagerie à semiconducteurs empilé rétro-éclairé.
(JA) 本開示は、素子レイアウト面積をより縮小することができるようにする固体撮像素子、電子機器、並びに製造方法に関する。 半導体基板の第1面に設けられた光電変換素子は、光電変換素子に接続され、半導体基板の第1面と第2面との間に設けられた貫通電極を介して、半導体基板の第2面に設けられたアンプトランジスタのゲートとフローティングディフュージョンとに接続されている。この画素構造においては、誘電体層が第2面の貫通電極の間に設けられており、第2面側から見て誘電体層の内側にシールド電極が設けられている。この誘電体層は、第2面側に配置されたトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成されている。本開示は、例えば、積層型で、裏面照射型の固体撮像素子に適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)