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1. (WO2018180569) 固体撮像装置、および電子機器
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国際公開番号: WO/2018/180569 国際出願番号: PCT/JP2018/010377
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 16.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/357 (2011.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
357
ノイズ処理に特徴のあるもの,例.ノイズの検出,補正,低減,除去
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
田中 晴美 TANAKA Harumi; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-06765430.03.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、および電子機器
要約:
(EN) The present technology relates to a solid-state image capture device which enables suppression of the appearance of ghost noise in the output of a sensor substrate having a light-shield substrate stacked on an upper surface thereof, and to an electronic apparatus. A solid-state image capture device according to a first aspect of the present technology is provided with a sensor substrate having at least a first pixel region and a second pixel region, and a light-shield substrate which is stacked on an upper surface of the sensor substrate and which includes a light-shield surrounding a plurality of light guide paths. The plurality of light guide paths include at least a first light guide path corresponding to the first pixel region and a second light guide path corresponding to the second pixel region. A plurality of pixels included in the first pixel region have a light-shielding structure based on the respective pixel positions in the first pixel region. A plurality of pixels included in the second pixel region have a light-shielding structure based on the respective pixel positions in the second pixel region. The present technology may be applied in a back-illuminated CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente technologie concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteur qui permet de supprimer l'apparition de bruits parasites sur la sortie d'un substrat de capteur ayant un substrat de protection contre la lumière empilé sur une surface supérieure de celui-ci, et un appareil électronique. Un dispositif de capture d'image à semi-conducteur selon un premier aspect de la présente technologie est pourvu d'un substrat de capteur ayant au moins une première région de pixels et une deuxième région de pixels, et d'un substrat de protection contre la lumière qui est empilé sur une surface supérieure du substrat de capteur et qui comprend un écran de protection contre la lumière entourant une pluralité de trajets de guidage de lumière. La pluralité de trajets de guidage de lumière comprend au moins un premier trajet de guidage de lumière correspondant à la première région de pixels et un second trajet de guidage de lumière correspondant à la deuxième région de pixels. Une pluralité de pixels inclus dans la première région de pixels présente une structure de protection contre la lumière sur la base des positions de pixel respectives dans la première région de pixels. Une pluralité de pixels inclus dans la deuxième région de pixels présente une structure de protection contre la lumière sur la base des positions de pixel respectives dans la deuxième région de pixels. La présente technologie peut par exemple être appliquée à un capteur d'image CMOS à rétroéclairage.
(JA) 本技術は、上面に遮光体基板を積層したセンサ基板の出力にゴーストノイズが出現することを抑止することができるようにする固体撮像装置、および電子機器に関する。 本技術の第1の側面である固体撮像装置は、少なくとも第1の画素領域と第2の画素領域を有するセンサ基板と、前記センサ基板の上面に積層され、複数の導光路を囲う遮光体を有する遮光体基板とを備え、前記複数の導光路は、第1の画素領域に対応する第1の導光路と、第2の画素領域に対応する第2の導光路を少なくとも含み、第1の画素領域に含まれる複数の画素が、第1の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有し、第2の画素領域に含まれる複数の画素が、第2の画素領域におけるそれぞれの画素位置に基づいた遮光構造を有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)