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1. (WO2018180524) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180524 国際出願番号: PCT/JP2018/010129
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 15.03.2018
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
042
電気的励起
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022
マウント;ハウジング
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
20
半導体本体の光を導波する構造または形状
22
リッジまたはストライプ構造を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
発明者:
萩野 裕幸 HAGINO Hiroyuki; --
今藤 修 IMAFUJI Osamu; --
能崎 信一郎 NOZAKI Shinichiro; --
代理人:
徳田 佳昭 TOKUDA Yoshiaki; JP
西田 浩希 NISHIDA Hiroki; JP
優先権情報:
2017-06401828.03.2017JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置
要約:
(EN) A nitride semiconductor laser element (1) is provided with: a first nitride semiconductor layer (20); a light-emitting layer (30) comprising a nitride semiconductor formed on the first nitride semiconductor layer (20); a second nitride semiconductor layer (40) which is formed on the light-emitting layer (30) and which includes a ridge part (40a); a p-side electrode (51) formed on the ridge part (40a); and a pad electrode (52) which is formed on the second nitride semiconductor layer (40) and which is wider than the ridge part (40a), wherein the second nitride semiconductor layer (40) includes a flat part (40b) lateral to the ridge part (40a), a dielectric layer (60) made of SiO2 is formed on the flat part (40b) and on a lateral surface of the ridge part (40a), an adhesion layer (70) is formed on the dielectric layer (60) located on the flat part (40b), and the adhesion layer (70) is separated from the dielectric layer (60) on the lateral surface of the ridge part (40a), is not in contact with the p-side electrode (51), and is in contact with the pad electrode (52).
(FR) La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteur au nitrure (1), pourvu : d'une première couche semi-conductrice au nitrure (20) ; d'une couche électroluminescente (30) comprenant un semi-conducteur au nitrure formé sur la première couche semi-conductrice au nitrure (20) ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) formée sur la couche électroluminescente (30) et qui comprend une partie arête (40a) ; une électrode côté p (51) formée sur la partie arête (40a) ; et une pointe d'électrode à extrémité plate (52) formée sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) et qui est plus large que la partie arête (40a), la seconde couche semi-conductrice au nitrure (40) comprenant une partie plate (40b) latérale à la partie arête (40a), une couche diélectrique (60) constituée de SiO2 étant formée sur la partie plate (40b) et sur une surface latérale de la partie arête (40a), une couche d'adhérence (70) étant formée sur la couche diélectrique (60) située sur la partie plate (40b), et la couche d'adhérence (70) étant séparée de la couche diélectrique (60) sur la surface latérale de la partie arête (40a), n'étant pas en contact avec l'électrode côté p (51), et étant en contact avec la pointe d'électrode à extrémité plate (52).
(JA) 窒化物半導体レーザ素子(1)は、第1の窒化物半導体層(20)と、第1の窒化物半導体層(20)の上に形成された窒化物半導体からなる発光層(30)と、発光層(30)の上に形成され、リッジ部(40a)を有する第2の窒化物半導体層(40)と、リッジ部(40a)の上に形成されたp側電極(51)と、第2の窒化物半導体層(40)上に形成され、リッジ部(40a)よりも幅広であるパッド電極(52)とを備え、第2の窒化物半導体層(40)は、リッジ部(40a)の側方に平坦部(40b)を有し、リッジ部(40a)の側面および平坦部(40b)の上には、SiOからなる誘電体層(60)が形成され、平坦部(40b)上の誘電体層(60)の上には、密着層(70)が形成され、密着層(70)は、リッジ部(40a)の側面上の誘電体層(60)から離れ、且つ、p側電極(51)とは非接触であり、パッド電極(52)と接触している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)