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1. (WO2018180522) 固体撮像装置、電子機器、及び駆動方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180522 国際出願番号: PCT/JP2018/010124
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 15.03.2018
IPC:
H04N 5/374 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/355 (2011.01)
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
351
シーン,例.シーンにおける動きまたは輝度,に依存した固体撮像素子の制御に特徴のあるもの
355
ダイナミックレンジの制御
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
田代 睦聡 TASHIRO Yoshiaki; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-06427329.03.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVE METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE
(JA) 固体撮像装置、電子機器、及び駆動方法
要約:
(EN) The present disclosure relates to a solid-state image capture device, an electronic apparatus, and a drive method for making it possible to increase the number of pixels by reducing power consumption by pixels. Provided is a solid-state image capture device comprising: a photoelectric conversion unit; and a pixel array unit comprising a matrix arrangement of pixels including a reset transistor for resetting the photoelectric conversion unit in accordance with a reset signal, a first amplifying transistor for amplifying a signal from the photoelectric conversion unit, a select transistor for selecting a signal from the first amplifying transistor in accordance with a select signal, a second amplifying transistor for amplifying a signal from the select transistor and applying the amplified signal to a vertical signal line, and a bias transistor functioning as a current source, the pixels providing output signals having a logarithmic characteristic. The first amplifying transistor and the second amplifying transistor are connected to a power supply voltage. The technology of the present disclosure may be applied in a solar cell-mode logarithmic sensor, for example.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs, un appareil électronique et un procédé de commande qui permettent d'augmenter le nombre de pixels au moyen de la réduction de la consommation d'énergie des pixels. L'invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteurs comprenant : une unité de conversion photoélectrique ; et une unité de réseau de pixels comprenant un agencement matriciel de pixels comprenant un transistor de réinitialisation conçu pour réinitialiser l'unité de conversion photoélectrique conformément à un signal de réinitialisation, un premier transistor d'amplification conçu pour amplifier un signal provenant de l'unité de conversion photoélectrique, un transistor de sélection conçu pour sélectionner un signal provenant du premier transistor d'amplification conformément à un signal de sélection, un second transistor d'amplification conçu pour amplifier un signal provenant du transistor de sélection et appliquer le signal amplifié à une ligne de signal verticale, et un transistor de polarisation fonctionnant en tant que source de courant, les pixels fournissant des signaux de sortie ayant une caractéristique logarithmique. Le premier transistor amplificateur et le second transistor amplificateur sont connectés à une tension d'alimentation électrique. La technologie de la présente invention peut être appliquée dans un capteur logarithmique en mode cellule solaire, par exemple.
(JA) 本開示は、画素の消費電力を抑制して、多画素化を実現することができるようにする固体撮像装置、電子機器、及び駆動方法に関する。 光電変換部と、リセット信号に応じて、光電変換部をリセットするリセットトランジスタと、光電変換部からの信号を増幅する第1の増幅トランジスタと、選択信号に応じて、第1の増幅トランジスタからの信号を選択する選択トランジスタと、選択トランジスタからの信号を増幅し、垂直信号線に印加する第2の増幅トランジスタと、電流源として機能するバイアストランジスタとを有する画素であって、対数特性の出力信号が得られる画素を行列状に配置した画素アレイ部を備え、第1の増幅トランジスタと、第2の増幅トランジスタは、電源電圧とそれぞれ接続される固体撮像装置が提供される。本開示に係る技術は、例えば、太陽電池モードの対数センサに適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)