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1. (WO2018180486) 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180486 国際出願番号: PCT/JP2018/009892
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 14.03.2018
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人: PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501, JP
発明者: YANO Ayumu; --
SENO Minato; --
NANBA Shin; --
代理人: MORISHITA Sakaki; JP
優先権情報:
2017-06594129.03.2017JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法
要約:
(EN) This solar cell 10 is provided with: a substrate 20 that is formed of a crystalline semiconductor of a first conductivity type; a first semiconductor layer 21 that is provided on a first region W1 of one main surface of the substrate 20; a second semiconductor layer 22 that is provided on a second region W2 of the one main surface, said second region W2 being different from the first region W1; a first transparent electrode layer 23 that is provided on the first semiconductor layer 21; and a second transparent electrode layer 24 that is provided on the second semiconductor layer 22. The first semiconductor layer 21 contains a first amorphous semiconductor layer 31 of the first conductivity type and a first crystalline semiconductor part 35 that extends from the one main surface toward the first transparent electrode layer 23. The second semiconductor layer 22 contains a second amorphous semiconductor layer 32 of a second conductivity type that is different from the first conductivity type.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire 10 comprenant : un substrat 20 qui est formé d'un semiconducteur cristallin d'un premier type de conductivité; une première couche semiconductrice 21 qui est disposée sur une première région W1 d'une première surface principale du substrat 20; une seconde couche semiconductrice 22 qui est disposée sur une seconde région W2 de ladite première surface principale, ladite seconde région W2 étant différente de la première région W1; une première couche d'électrode transparente 23 qui est disposée sur la première couche semiconductrice 21; et une seconde couche d'électrode transparente 24 qui est disposée sur la seconde couche semiconductrice 22. La première couche semiconductrice 21 contient une première couche semiconductrice amorphe 31 du premier type de conductivité et une première partie semiconductrice cristalline 35 qui s'étend depuis la première surface principale vers la première couche d'électrode transparente 23. La seconde couche semiconductrice 22 contient une seconde couche semiconductrice amorphe 32 d'un second type de conductivité qui est différente du premier type de conductivité.
(JA) 太陽電池セル10は、第1導電型の結晶性半導体の基板20と、基板20の一主面の第1領域W1上に設けられる第1半導体層21と、一主面の第1領域W1と異なる第2領域W2上に設けられる第2半導体層22と、第1半導体層21上に設けられる第1透明電極層23と、第2半導体層22上に設けられる第2透明電極層24と、を備える。第1半導体層21は、第1導電型の第1非晶質半導体層31と、一主面から第1透明電極層23に向けて延びる第1結晶性半導体部35と、を含む。第2半導体層22は、第1導電型と異なる第2導電型の第2非晶質半導体層32を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)