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1. (WO2018180456) III-V族半導体ナノ粒子の製造方法、III-V族半導体量子ドットの製造方法、及びフロー式反応システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180456 国際出願番号: PCT/JP2018/009684
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 13.03.2018
IPC:
C01B 25/08 (2006.01) ,B82B 3/00 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
25
りん;その化合物
08
その他のりん化物
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
B
個別の原子,分子,または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造;その製造または処理
3
個別の原子,分子,または,限られた数の原子または分子の集合を区別された単位としての操作によるナノ構造の製造または処理
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
30
材料または表面科学のためのナノテクノロジー,例.ナノ複合材料
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
40
ナノ構造物の製造または処理
出願人: FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者: MATSUMOTO, Hideki; JP
WADA, Kenji; JP
代理人: IIDA & PARTNERS; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
IIDA, Toshizo; JP
AKABA, Shuichi; JP
優先権情報:
2017-06360328.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE, METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT, AND FLOW REACTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES DU GROUPE (III)-(V), PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS DU GROUPE (III)-(V), ET SYSTÈME DE RÉACTION PAR ÉCOULEMENT
(JA) III-V族半導体ナノ粒子の製造方法、III-V族半導体量子ドットの製造方法、及びフロー式反応システム
要約:
(EN) The present invention relates to a method for producing group III-V semiconductor nanoparticles, a flow reaction system suitable for performing said method, and a method for producing group III-V semiconductor quantum dots which employs the method for producing group III-V semiconductor nanoparticles. The method for producing group III-V semiconductor nanoparticles employs a flow reaction and comprises: introducing a solution of a compound containing a group III element and a solution of a compound containing a group V element to a first flow path and a second flow path, respectively; and combining the solutions, thereby generating nanoparticles. A combining part is constituted by a multi-layer tubular mixer wherein one of the solutions is passed through a flow path in the smallest tube of the mixer, the other solution is passed through a flow path adjacent to the flow path in the smallest tube, and the ratio of the linear velocities of the two solutions in their respective flow paths is a specific value.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de nanoparticules semi-conductrices du groupe (III)-(V), un système de réaction par écoulement convenant pour exécuter ledit procédé, et un procédé de production de points quantiques semi-conducteurs du groupe (III)-(V) qui utilise le procédé de production de nanoparticules semi-conductrices du groupe (III)-(V). Le procédé de production de nanoparticules semi-conductrices du groupe (III)-(V) utilise une réaction par écoulement et comprend : l’introduction d’une solution d’un composé contenant un élément du groupe (III) et une solution d’un composé contenant un élément du groupe (V) vers un premier trajet d’écoulement et un second trajet d’écoulement, respectivement ; et la combinaison des solutions, générant ainsi des nanoparticules. Une partie de combinaison est constituée d’un mélangeur tubulaire multicouche où l’une des solutions passe à travers un trajet d’écoulement dans le tube le plus petit du mélangeur, l’autre solution passe à travers un trajet d’écoulement adjacent au trajet d’écoulement dans le tube le plus petit, et le rapport des vitesses linéaires des deux solutions dans leurs trajets d’écoulement respectifs est une valeur spécifique.
(JA) 第1流路に第III族元素を含む化合物の溶液を、第2流路に第V族元素を含む化合物の溶液を導入し、両溶液を合流してナノ粒子を生成することを含む、フロー式反応によるIII-V族半導体ナノ粒子の製造方法であって、 合流部を多層筒型ミキサーで構成し、ミキサーの最小筒内流路に上記溶液のいずれか一方を流通させ、他方の溶液は最小筒内流路に隣接する流路内を流通させ、最小筒内流路を流通する溶液の線速度に対し、最小筒内流路に隣接する流路内を流通する溶液の線速度の比の値を特定値とする製造方法、この製造方法の実施に好適なフロー式反応システム、及びこの製造方法を用いたIII-V族半導体量子ドットの製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)