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1. (WO2018180276) 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180276 国際出願番号: PCT/JP2018/008542
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 06.03.2018
IPC:
H01L 41/187 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01) ,H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/39 (2013.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31
圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314
圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
316
気相堆積による
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31
圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314
圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
319
下地膜を用いる方法,例.成長制御
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
35
圧電材料または電歪材料の形成
39
無機材料
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
村上 直樹 MURAKAMI Naoki; JP
澤木 大悟 SAWAKI Daigo; JP
代理人:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
優先権情報:
2017-07055831.03.2017JP
発明の名称: (EN) PIEZOELECTRIC BODY MEMBRANE, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND PIEZOELECTRIC ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) MEMBRANE DE CORPS PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a piezoelectric body membrane, a piezoelectric element, and a piezoelectric element manufacturing method with which excellent piezoelectric characteristics can be obtained even under a high temperature environment. The piezoelectric body membrane of the present invention contains a perovskite-type oxide expressed by expression (1), wherein the content q of Nb with respect to the total number of atoms in the perovskite-type oxide, and the ratio r of a diffraction peak intensity from a (200) plane with respect to a diffraction peak intensity from a (100) plane of the perovskite-type oxide as measured by X-ray diffraction method satisfies expression (2). Expression (1): A1+δ[(ZryTi1-y)1-xNbx]Oz, Expression (2): 0.35≦r/q<0.58, where A is an A site element containing Pb, x and y are respectively independently more than zero and not more than 1, and δ and z respectively have the standard values of 0 and 3, the values being allowed to deviate from the standard values to the extent that the perovskite-type oxide can have a perovskite structure. In expression (2), the unit of q is atm%.
(FR) La présente invention concerne une membrane de corps piézoélectrique, un élément piézoélectrique et un procédé de fabrication d'élément piézoélectrique avec lesquels d'excellentes caractéristiques piézoélectriques peuvent être obtenues même dans un environnement à haute température. La membrane de corps piézoélectrique de la présente invention contient un oxyde de type pérovskite exprimé par l'expression (1), la teneur q en Nb par rapport au nombre total d'atomes dans l'oxyde de type pérovskite, et le rapport r d'une intensité de pic de diffraction depuis un plan (200) par rapport à une intensité de pic de diffraction depuis un plan (100) de l'oxyde de type pérovskite, tel que mesuré par le procédé de diffraction des rayons X, satisfait l'expression (2). Expression (1) : A1+δ[(ZryTi1-y)1-xNbx]Oz; Expression (2): 0,35≦r/q<0,58, où A est un élément de site A contenant Pb, x et y sont respectivement indépendamment supérieurs à zéro et inférieurs ou égaux à 1, et δ et z ont respectivement les valeurs standard de 0 et 3, les valeurs étant autorisées à s'écarter des valeurs standard dans la mesure où l'oxyde de type pérovskite peut avoir une structure pérovskite. Dans l'expression (2), l'unité de q est % atomique.
(JA) 本発明は、高温環境下でも優れた圧電特性が得られる圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法を提供する。 本発明の圧電体膜は、下記式(1)で表されるペロブスカイト型酸化物を含有し、ペロブスカイト型酸化物中における、全原子数に対するNbの含有量qと、X線回折法によって測定される、ペロブスカイト型酸化物の(100)面からの回折ピーク強度に対する、(200)面からの回折ピーク強度の比rとが、式(2)を満たす、圧電体膜であり、式(1) A1+δ[(ZrTi1-y1-xNb]O、式(2)0.35≦r/q<0.58、この場合、式(1)中、AはPbを含有するAサイト元素を表し、x及びyはそれぞれ独立に0を超え、1未満の数を表し、δ=0かつz=3が標準値だが、これらの値はペロブスカイト型酸化物がペロブスカイト構造を取り得る範囲で標準値からずれてもよく、かつ、式(2)中、qの単位はatm%である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)