このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018180227) 太陽電池セル
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180227 国際出願番号: PCT/JP2018/008228
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 05.03.2018
IPC:
H01L 31/0747 (2012.01) ,H01L 31/042 (2014.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
042
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
発明者:
瀬能 未奈都 SENO Minato; --
難波 伸 NANBA Shin; --
代理人:
徳田 佳昭 TOKUDA Yoshiaki; JP
西田 浩希 NISHIDA Hiroki; JP
優先権情報:
2017-06955331.03.2017JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セル
要約:
(EN) A solar cell (10) is provided with: a first conductivity-type semiconductor substrate (20) having a light receiving surface and a rear surface; a first conductivity-type first semiconductor layer (50) that is provided on the rear surface; and a second conductivity-type second semiconductor layer (51) that is provided on the rear surface. The semiconductor substrate (20) has: a first impurity region (40) having a first conductivity-type impurity; and a third impurity region (42), which is provided between the first impurity region (40) and the first semiconductor layer (50), and which has a first conductivity-type impurity. The concentration of the first conductivity-type impurity in the third impurity region (42) is higher than the concentration of the first conductivity-type impurity in the first impurity region (40), and junction between the semiconductor substrate (20) and the first semiconductor layer (50) is heterojunction.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire (10) comprenant : un substrat semi-conducteur de premier type de conductivité (20) ayant une surface de réception de lumière et une surface arrière; une première couche semi-conductrice de premier type de conductivité (50) qui est disposée sur la surface arrière; et une seconde couche semi-conductrice de second type de conductivité (51) qui est disposée sur la surface arrière. Le substrat semi-conducteur (20) comprend : une première région d'impureté (40) ayant une impureté de premier type de conductivité; et une troisième région d'impureté (42), qui est disposée entre la première région d'impureté (40) et la première couche semi-conductrice (50), et qui a une impureté de premier type de conductivité. La concentration de l'impureté de premier type de conductivité dans la troisième région d'impureté (42) est supérieure à la concentration de l'impureté de premier type de conductivité dans la première région d'impureté (40), et la jonction entre le substrat semi-conducteur (20) et la première couche semi-conductrice (50) est une hétérojonction.
(JA) 太陽電池セル(10)は、受光面および裏面を有する第1導電型の半導体基板(20)と、裏面上に設けられる第1導電型の第1半導体層(50)と、裏面上に設けられる第2導電型の第2半導体層(51)と、を備え、半導体基板(20)は、第1導電型の不純物を有する第1の不純物領域(40)と、第1の不純物領域(40)と第1半導体層(50)との間に設けられる、第1導電型の不純物を有する第3の不純物領域(42)と、を有し、第3の不純物領域(42)の第1導電型の不純物濃度は、第1の不純物領域(40)の第1導電型の不純物濃度より高く、半導体基板(20)と第1半導体層(50)との接合はヘテロ接合である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)