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1. (WO2018180224) 半導体ウェーハの洗浄方法

Pub. No.:    WO/2018/180224    International Application No.:    PCT/JP2018/008197
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 06 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/304
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: IGARASHI Kensaku
五十嵐 健作
ABE Tatsuo
阿部 達夫
Title: 半導体ウェーハの洗浄方法
Abstract:
本発明は、半導体ウェーハを、フッ酸を充填したフッ酸槽内に挿入して、前記フッ酸に浸漬し、前記フッ酸槽から引き出した後、前記半導体ウェーハを、オゾン水を充填したオゾン水槽内に挿入して、前記オゾン水に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法であって、前記オゾン水槽内への前記半導体ウェーハの挿入を、少なくとも、前記半導体ウェーハの下端が前記オゾン水に接触してから、前記半導体ウェーハが完全にオゾン水に浸漬するまで、挿入速度を20000mm/min以上として行うことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法である。これにより、半導体ウェーハをフッ酸に浸漬して洗浄した後、オゾン水に浸漬して洗浄する方法において、パーティクル等の異物の残留や除去した異物の再付着を防ぐことができる半導体ウェーハの洗浄方法が提供される。