このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018180189) ボンディングワイヤ及び半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180189 国際出願番号: PCT/JP2018/007938
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 02.03.2018
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人:
タツタ電線株式会社 TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府東大阪市岩田町2丁目3番1号 3-1, Iwata-cho 2-chome, Higashiosaka-shi, Osaka 5788585, JP
発明者:
滝川 圭美 TAKIGAWA, Tamami; JP
藤川 良太 FUJIKAWA, Ryota; JP
代理人:
蔦田 正人 TSUTADA, Masato; JP
中村 哲士 NAKAMURA, Satoshi; JP
富田 克幸 TOMITA, Katsuyuki; JP
有近 康臣 ARICHIKA, Yasuomi; JP
前澤 龍 MAEZAWA, Ryo; JP
水鳥 正裕 MIZUTORI, Masahiro; JP
蔦田 璋子 TSUTADA, Akiko; JP
優先権情報:
2017-07239431.03.2017JP
発明の名称: (EN) BONDING WIRE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE LIAISON ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) ボンディングワイヤ及び半導体装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a bonding wire and a semiconductor device. The bonding wire is based on Ag and makes it possible to improve the sphericity or thermal shock resistance of a free air ball (FAB) and to reduce the height of a loop formed during wiring, making it possible to reduce the thickness of a semiconductor device. The bonding wire has: a Pd content of not less than 0.1 mass% and not more than 10 mass%; a Cu content of not less than 0.05 mass% and not more than 2 mass%; a total content of not less than 20 ppm by mass and not more than 500 ppm by mass of one or more elements selected from the group consisting of Ca, Y, Sm, La, Ce, Nd, Eu, Gd, and Sc; a total content of not less than 0 ppm by mass and not more than 500 ppm by mass of one or more elements selected from the group consisting of Ge, Bi, and Mg; and the remainder comprising Ag.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un fil de liaison et un dispositif à semiconducteur. Le fil de liaison est à base d'Ag et permet d'améliorer la sphéricité ou la résistance aux chocs thermiques d'une bulle d'air libre (FAB) et de réduire la hauteur d'une boucle formée pendant le câblage, permettant de réduire l'épaisseur d'un dispositif à semiconducteur. Le fil de liaison a : une teneur en Pd supérieure ou égale à 0,1 % en masse et inférieure ou égale à 10 % en masse; une teneur en Cu inférieure ou égale à 0,05 % en masse et inférieure ou égale à 2 % en masse; une teneur totale inférieure ou égale à 20 ppm en masse et inférieure ou égale à 500 ppm en masse d'un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué par Ca, Y, Sm, La, Ce, Nd, Eu, Gd et Sc; une teneur totale supérieure ou égale à 0 ppm en masse et pas plus de 500 ppm en masse d'un ou plusieurs éléments choisis dans le groupe constitué de Ge, Bi et Mg; et le reste comprenant Ag.
(JA) FABの真球性や耐熱衝撃性を良好にすることができるとともに、結線時にできるループの高さを小さく設けることができ半導体装置の薄型化が可能となるAgを主成分とするボンディングワイヤ及び半導体装置を提供することを目的とする。 Pdの含有量が0.1質量%以上10質量%以下、Cuの含有量が0.05質量%以上2質量%以下、Ca、Y、Sm、La、Ce、Nd、Eu、Gd、及びScからなる群から選択された1種又は2種以上の元素の含有量の合計が20質量ppm以上500質量ppm以下、Ge、Bi、及びMgからなる群から選択された1種又は2種以上の元素の含有量の合計が0質量ppm以上500質量ppm以下であり、残部がAgからなるものとする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)