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1. (WO2018180159) ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180159 国際出願番号: PCT/JP2018/007605
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 28.02.2018
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
373
装置用材料の選択により容易になる冷却
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
出願人:
三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
発明者:
湯本 遼平 YUMOTO Ryouhei; JP
大開 智哉 OOHIRAKI Tomoya; JP
北原 丈嗣 KITAHARA Takeshi; JP
長友 義幸 NAGATOMO Yoshiyuki; JP
代理人:
松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi; JP
寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo; JP
細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro; JP
大浪 一徳 ONAMI Kazunori; JP
優先権情報:
2017-06487829.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD WITH HEAT SINK
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE POURVUE D'UN DISSIPATEUR THERMIQUE
(JA) ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
要約:
(EN) This production method produces an insulated circuit board (40) with a heat sink, said insulated circuit board being provided with: an insulated circuit board (10) wherein a circuit layer (12) and a metal layer (13) are formed on an insulating layer (11); and a heat sink (41) that is bonded to the metal layer (13) side. The metal layer (13) is configured from aluminum or an aluminum alloy, and has an indentation hardness of less than 50 mgf/μm2. The heat sink (41) has a bonding surface that is configured from aluminum or an aluminum alloy and is bonded to the insulated circuit board (10). This method comprises: an aluminum bonding layer formation step S02 wherein an aluminum bonding layer (31) that is formed of aluminum or an aluminum alloy having a solidus temperature of 650°C or less is formed on the metal layer (13); and a heat sink bonding step S30 wherein a copper bonding material (32) that is formed of copper or a copper alloy is laminated between the aluminum bonding layer (31) and the heat sink (41), and the aluminum bonding layer (31), the copper bonding material (32) and the heat sink (41) are bonded with each other by solid-phase diffusion.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production permettant de produire une carte de circuit imprimé isolée (40) pourvue d'un dissipateur thermique, ladite carte de circuit imprimé isolée comprenant : une carte de circuit imprimé isolée (10) dans laquelle une couche de circuit (12) et une couche métallique (13) sont formées sur une couche isolante (11); et un dissipateur thermique (41) lié sur le côté de la couche métallique (13). La couche métallique (13) est constituée d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium et présente une dureté à la pénétration inférieure à 50 mgf/μm2. Le dissipateur thermique (41) présente une surface de liaison constituée d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium et est lié à la carte de circuit imprimé isolée (10). Ce procédé comprend : une étape de formation d'une couche de liaison en aluminium S02 dans laquelle une couche de liaison en aluminium (31) constituée d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium d'une température dite "Solidus" inférieure ou égale à 650 °C est formée sur la couche métallique (13); et une étape de liaison de dissipateur thermique S30 dans laquelle un liant en cuivre (32) constitué de cuivre ou d'un alliage de cuivre est stratifié entre la couche de liaison en aluminium (31) et le dissipateur thermique (41), et la couche de liaison en aluminium (31), le liant en cuivre (32) et le dissipateur thermique (41) sont liés les uns aux autres par diffusion en phase solide.
(JA) この製造方法は、絶縁層(11)に回路層(12)および金属層(13)が形成された絶縁回路基板(10)と、前記金属層(13)側に接合されたヒートシンク(41)とを備えたヒートシンク付き絶縁回路基板(40)を製造する。前記金属層(13)はアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、インデンテーション硬度は50mgf/μm未満である。前記ヒートシンク(41)は、絶縁回路基板(10)との接合面がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている。この方法は、前記金属層(13)に固相線温度が650℃以下のアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム接合層(31)を形成するアルミニウム接合層形成工程S02と、前記アルミニウム接合層(31)と前記ヒートシンク(41)との間に銅又は銅合金からなる銅接合材(32)を積層し、前記アルミニウム接合層(31)と前記銅接合材(32)と前記ヒートシンク(41)とを固相拡散接合するヒートシンク接合工程S03とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)