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1. (WO2018180146) 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
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国際公開番号: WO/2018/180146 国際出願番号: PCT/JP2018/007469
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 28.02.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,C01B 32/158 (2017.01) ,H01L 21/208 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
[IPC code unknown for C01B 32/158]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
発明者:
磯貝和生 ISOGAI, Kazuki; JP
村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
崎井大輔 SAKII, Daisuke; JP
優先権情報:
2017-06042627.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPLEMENTARY SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND PRODUCT TAG
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
(JA) 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a semiconductor device having stable n-type semiconductor characteristics without deterioration over time. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device provided with: a substrate; a source electrode, a drain electrode and a gate electrode; a semiconductor layer which contacts the source electrode and the drain electrode; a gate insulation layer which insulates the semiconductor layer from the gate electrode; and a second insulation layer which contacts the semiconductor layer on a side opposite to the gate insulation layer with respect to the semiconductor layer, wherein the semiconductor device is characterized in that the semiconductor layer contains carbon nanotubes, the second insulation layer contains electron-donating compounds including at least any one selected from among nitrogen atoms and phosphorous atoms, and the oxygen permeability of the second insulation layer is equal to or less than 4.0 cc/(m2·24h·atm).
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques de semi-conducteur de type n stables sans détérioration au fil du temps. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur comportant : un substrat; une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille; une couche semi-conductrice qui entre en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain; une couche d'isolation de grille qui isole la couche semi-conductrice de l'électrode de grille; et une seconde couche d'isolation qui est en contact avec la couche semi-conductrice sur un côté opposé à la couche d'isolation de grille par rapport à la couche semi-conductrice, le dispositif à semi-conducteur étant caractérisé en ce que la couche semi-conductrice contient des nanotubes de carbone, la seconde couche d'isolation contient des composés donneurs d'électrons comprenant au moins un atome choisi parmi des atomes d'azote et des atomes de phosphore, et la perméabilité à l'oxygène de la seconde couche d'isolation est inférieure ou égale à 4,0 cc/(m2·24h·atm).
(JA) 本発明は、経時的劣化のない、安定な、n型半導体特性を有する半導体素子を提供することを課題とし、 基材と、 ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、 前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、 前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、 前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第2絶縁層と、を備えた半導体素子であって、 前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、 前記第2絶縁層が、窒素原子およびリン原子から選ばれるいずれか1種以上を有する電子供与性化合物を含有し、 前記第2絶縁層の酸素透過度が、4.0cc/(m・24h・atm)以下であることを特徴とする、 半導体素子とすることを本旨とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)