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1. (WO2018180069) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/180069    International Application No.:    PCT/JP2018/006602
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Feb 24 00:59:59 CET 2018
IPC: G03F 7/075
C08F 30/08
G03F 7/004
G03F 7/038
G03F 7/039
G03F 7/20
G03F 7/36
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: FURUTANI Hajime
古谷 創
SHIRAKAWA Michihiro
白川 三千紘
Title: パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
Abstract:
優れたパターン均一性を有する被エッチング物を与え得るパターンを形成する、パターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供する。化学増幅型の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を加熱する露光後加熱工程と、加熱された上記レジスト膜をドライ現像する現像工程と、を含む、パターン形成方法であって、上記化学増幅型の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸の作用により分解して極性が増大する基を有する樹脂と、光酸発生剤と、を含有し、上記酸の作用により分解して極性が増大する基は、極性基が、酸の作用により脱離する脱離基で保護された構造を有し、上記脱離基はSi原子を含有し、かつ、上記脱離基の分子量が500以下である、パターン形成方法。