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1. (WO2018180054) 基板処理方法および基板処理装置
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国際公開番号: WO/2018/180054 国際出願番号: PCT/JP2018/006407
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 22.02.2018
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,C23F 1/46 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
46
エッチング組成物の再生
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
山口 侑二 YAMAGUCHI, Yuji; JP
基村 雅洋 KIMURA, Masahiro; JP
岸田 拓也 KISHIDA, Takuya; JP
杉岡 真治 SUGIOKA, Shinji; JP
代理人:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2017-06139427.03.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) This substrate processing method comprises: a mixed acid heating step of heating a mixed acid comprising a mixture solution of phosphoric acid, nitric acid, and water; a molar ratio adjusting step of decreasing a P/W molar ratio (the number of moles of phosphoric acid included in the mixed acid/ the number of moles of water included in the mixed acid) by adding water to the mixed acid, in order to maintain the P/W molar ratio between a molar ratio upper-limit value and a molar ratio lower-limit value; and an etching step of etching a metal film on a substrate by supplying the mixed acid to which water has been added onto the substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de chauffe d'acide mixte consistant à chauffer un acide mixte comprenant une solution de mélange d'acide phosphorique, d'acide nitrique et d'eau; une étape de réglage de rapport molaire consistant à diminuer un rapport molaire P/W (le nombre de moles d'acide phosphorique compris dans l'acide mixte/le nombre de moles d'eau compris dans l'acide mixte) par ajout d'eau à l'acide mixte, afin de maintenir le rapport molaire P/W entre une valeur de limite haute de rapport molaire et une valeur de limite basse de rapport molaire; et une étape de gravure consistant à graver un film métallique sur un substrat par application de l'acide mixte auquel a été ajoutée de l'eau sur le substrat.
(JA) 基板処理方法は、リン酸、硝酸、および水を含む混合液である混酸を加熱する混酸加熱工程と、P/Wモル比(混酸に含まれるリン酸のモル数/混酸に含まれる水のモル数)をモル比上限値とモル比下限値との間に維持するために、混酸に水を加えることによりP/Wモル比を低下させるモル比調節工程と、水が加えられた混酸を基板に供給することにより基板上の金属膜をエッチングするエッチング工程とを含む。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)