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1. (WO2018180021) 窒化物半導体装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/180021 国際出願番号: PCT/JP2018/006034
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 20.02.2018
IPC:
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
発明者:
牧山 剛三 MAKIYAMA, Kozo; JP
代理人:
向山 直樹 MUKOUYAMA, Naoki; JP
優先権情報:
2017-07186231.03.2017JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER CELUI-CI
(JA) 窒化物半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of achieving a nitride semiconductor device wherein short channel effects are sufficiently suppressed. [Solution] Disclosed is an InAlGaN/GaN∙HEMT wherein a nitride semiconductor laminated structure 2 is provided with: a buffer layer 2a; an InGaN-containing back barrier layer 2b that is provided on the buffer layer 2a; and an electron transit layer 2c that is provided on the back barrier layer 2b. In the thickness direction of the back barrier layer 2b, In composition in the back barrier layer increases at a first interface to the buffer layer 2a, and the In composition continuously reduces toward a second interface to the electron transit layer 2c from the first interface.
(FR) La présente invention aborde le problème de réalisation d'un dispositif à semi-conducteur au nitrure dans lequel des effets de canal court sont suffisamment supprimés. La solution selon l'invention porte sur un InAlGaN/GaN∙HEMT dans lequel une structure stratifiée semi-conductrice de nitrure 2 comprend: une couche tampon 2a; une couche de barrière arrière contenant de l'InGaN 2b qui est disposée sur la couche tampon 2a; et une couche de transit d'électrons 2c qui est disposée sur la couche de barrière arrière 2b. Dans le sens de l'épaisseur de la couche de barrière arrière 2b, la composition d'In dans la couche de barrière arrière augmente au niveau d'une première interface vers la couche tampon 2a, et la composition d'IN diminue en continu vers une seconde interface vers la couche de transit d'électrons 2c à partir de la première interface.
(JA) 【課題】ショートチャネル効果の十分な抑制を実現する窒化物半導体装置を実現する。 【解決手段】InAlGaN/GaN・HEMTでは、窒化物半導体積層構造2が、バッファ層2aと、バッファ層2a上に設けられたInGaNを含むバックバリア層2bと、バックバリア層2b上に設けられた電子走行層2cとを備えており、バックバリア層2bは、厚み方向について、バッファ層2aとの第1界面でIn組成が増加し、第1界面から電子走行層2cとの第2界面に向かってIn組成が連続的に減少する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)