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1. (WO2018180013) 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/180013 国際出願番号: PCT/JP2018/005948
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 20.02.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 19/04 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
02
溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
04
溶媒が結晶組成の一成分であるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329
装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
868
PINダイオード
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
国立大学法人名古屋大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市千種区不老町1番 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601, JP
発明者:
古庄 智明 FURUSHO Tomoaki; JP
田中 貴規 TANAKA Takanori; JP
黒岩 丈晴 KUROIWA Takeharu; JP
宇治原 徹 UJIHARA Toru; JP
原田 俊太 HARADA Shunta; JP
村山 健太 MURAYAMA Kenta; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-06244728.03.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing: a silicon carbide substrate which never contaminates a process device and has a low defect density; and a silicon carbide semiconductor device produced using the silicon carbide substrate. The silicon carbide substrate (10) according to the present invention is provided with a substrate inside part (11) and a substrate outside part (12) that surrounds the substrate inside part (11), wherein the non-dopant metal impurity concentration in the substrate inside part (11) is 1 × 1016 cm-3 or more, and at least a surface-side region in the substrate outside part (12) is a substrate surface region (13) having a non-dopant metal impurity concentration of less than 1 × 1016 cm-3.
(FR) Le problème abordé par la présente invention est de pourvoir à : un substrat en carbure de silicium qui ne contamine jamais un dispositif de traitement et a une faible densité de défauts ; et un dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium produit à l'aide dudit substrat en carbure de silicium. La solution selon l'invention porte sur un substrat en carbure de silicium (10) comprenant une partie intérieure de substrat (11) et une partie extérieure de substrat (12) qui entoure la partie intérieure de substrat (11), où la concentration d'impuretés métalliques non dopantes dans la partie intérieure de substrat (11) est de 1 × 1016 cm-3 ou plus, et au moins une région côté surface dans la partie extérieure du substrat (12) est une région de surface de substrat (13) ayant une concentration d'impuretés métalliques non dopantes inférieure à 1 × 1016 cm-3.
(JA) 本発明は、プロセス装置を汚染することのない低欠陥密度な炭化珪素基板と、当該炭化珪素基板を用いた炭化珪素半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る炭化珪素基板(10)は、基板内側部(11)と、基板内側部(11)を囲む基板外側部(12)と、を備える炭化珪素基板(10)であって、基板内側部(11)の非ドーパント金属不純物濃度は1×1016cm-3以上であり、基板外側部(12)のうち少なくとも表面側の領域は、非ドーパント金属不純物濃度が1×1016cm-3未満の基板表面領域(13)である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)