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1. (WO2018180010) 半導体集積回路装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/180010 国際出願番号: PCT/JP2018/005924
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 20.02.2018
IPC:
H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
出願人:
株式会社ソシオネクスト SOCIONEXT INC. [JP/JP]; 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目10番23 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-Ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
発明者:
伊藤 千夏 ITO Chika; --
祖父江 功弥 SOBUE Isaya; --
代理人:
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
2017-06456829.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路装置
要約:
(EN) Provided is a semiconductor integrated circuit device with IO cells disposed therein, wherein power supply voltage drop is suppressed by using multilayer wiring. Power supply wires (41a, 41b, and 41c) formed in a plurality of wiring layers are extended in an X-direction which is the same direction in which IO cells (10) are arranged. In a region of a power supply IO cell (21), a power supply wire (51) extending in a Y-direction is arranged on a wiring layer where the power supply wire (41b) is not formed, and at both ends in the X-direction, wiring pieces (61a, 61b) are arranged at the same position in the Y-direction as the power supply wire (41b) formed in a region of a signal IO cell (11).
(FR) L'invention concerne un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur avec des cellules IO disposées à l'intérieur de celui-ci, la chute de tension d'alimentation électrique étant supprimée à l'aide d'un câblage multicouche. Des fils d'alimentation électrique (41a, 41b, et 41c) formés dans une pluralité de couches de câblage s'étendent dans une direction X qui est la même direction dans laquelle des cellules IO (10) sont agencées. Dans une région d'une cellule IO d'alimentation électrique (21), un fil d'alimentation électrique (51) s'étendant dans une direction Y est disposé sur une couche de câblage où le fil d'alimentation électrique (41b) n'est pas formé, et aux deux extrémités dans la direction X, des pièces de câblage (61a, 61b) sont agencées à la même position dans la direction Y que le fil d'alimentation électrique (41b) formé dans une région d'une cellule IO de signal (11).
(JA) IOセルが配置された半導体集積回路装置について、多層配線を利用して電源電圧降下を抑制可能にする。複数の配線層に形成された電源配線(41a,41b,41c)が、IOセル(10)の並びと同じX方向に延びている。電源IOセル(21)の領域において、電源配線(41b)が形成されていない配線層に、Y方向に延びる電源配線(51)が配置されており、かつ、X方向における両端において、Y方向における、信号IOセル(11)の領域に形成された電源配線(41b)と同じ位置に、配線片(61a,61b)が配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)