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1. (WO2018179924) 原子層堆積法による酸化イットリウム含有薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/179924 国際出願番号: PCT/JP2018/004849
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 13.02.2018
IPC:
C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
発明者:
西田 章浩 NISHIDA, Akihiro; JP
山下 敦史 YAMASHITA, Atsushi; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
優先権情報:
2017-06463129.03.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING YTTRIUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE MINCE CONTENANT DE L'OXYDE D'YTTRIUM PAR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層堆積法による酸化イットリウム含有薄膜の製造方法
要約:
(EN) Provided is a method for producing an yttrium oxide-containing thin film by atomic layer deposition, the method comprising: a step for introducing feedstock gas containing tris(sec-butylcyclopentadienyl)yttrium into a treatment atmosphere in order to deposit tris(sec-butylcyclopentadienyl)yttrium on a substrate; and a step for introducing a reactive gas containing water vapor into a treatment atmosphere and causing the reactive gas to react with the tris(sec-butylcyclopentadienyl)yttrium having been deposited on the substrate, in order to oxidize yttrium.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une couche mince contenant de l'oxyde d'yttrium par dépôt de couche atomique, le procédé comprenant : une étape d'introduction d'un gaz contenant du tris(sec-butylcyclopentadiényl)yttrium dans l'atmosphère de traitement afin de déposer le tris(sec-butylcyclopentadiényl)yttrium sur un substrat; et une étape d'introduction d'un gaz réactif chargé de vapeur d'eau dans l'atmosphère de traitement pour amener le gaz réactif à réagir avec le tris(sec-butylcyclopentadiényl)yttrium qui a été déposé sur le substrat, afin d'oxyder l'yttrium.
(JA) トリス(第2ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを含む原料ガスを処理雰囲気に導入し、基体上にトリス(第2ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを堆積させる工程と、水蒸気を含む反応性ガスを処理雰囲気に導入し、前記基体上に堆積させたトリス(第2ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムと反応させることでイットリウムを酸化する工程とを含む、原子層堆積法による酸化イットリウム含有薄膜の製造方法である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)