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1. (WO2018179859) 半導体ウェハ容器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/179859 国際出願番号: PCT/JP2018/004019
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 06.02.2018
IPC:
H01L 21/673 (2006.01) ,B65D 85/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
673
特に適合するキャリアを使用するもの
B 処理操作;運輸
65
運搬;包装;貯蔵;薄板状または線条材料の取扱い
D
物品または材料の保管または輸送用の容器,例.袋,樽,瓶,箱,缶,カートン,クレート,ドラム缶,つぼ,タンク,ホッパー,運送コンテナ;付属品,閉蓋具,またはその取付け;包装要素;包装体
85
特定の物品または材料に特に適合する容器,包装要素または包装体
30
衝撃または圧力による損傷に特に鋭敏な物品用
出願人: ACHILLES CORPORATION[JP/JP]; 2-21-1, Kita-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1698885, JP
発明者: NISHIJIMA, Masayuki; JP
HIROSE, Kenichi; JP
JAMES, Christie; US
代理人: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2017-07132031.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR WAFER CONTAINER
(FR) CONTENANT POUR TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェハ容器
要約:
(EN) [Problem] To provide a semiconductor wafer container. [Solution] A semiconductor wafer container in which two substantially flat outer shells having the same shape are overlapped in a vertical direction and a single semiconductor wafer is stored, wherein: the outer shells have, in addition to a main body thereof, a wafer-holding means and an outer wall formation means; the wafer-holding means is for accommodating the upper and lower surfaces of the wafer in a substantially contactless manner and securing and holding the upper and lower surfaces, the wafer-holding means having an inclined surface formed on the upper surface of the outer shell, which comes into line contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer from below, a wafer contact surface formed on the lower surface of the outer shell, which comes into surface contact with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer from above, and a shallow-bottomed void part formed at the respective center part of both the upper and lower surfaces of the outer shell so as to be capable of accommodating the upper half or the lower half of the wafer; and the outer wall formation means has a hanging part formed on the outer peripheral edge of the lower surface of the outer shell so as to form, when the two outer shells are overlapped in the vertical direction and the semiconductor wafer is stored, a closed outer wall on the outside of the stored semiconductor wafer.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un contenant de tranche de semi-conducteur. La solution selon l'invention propose un contenant de tranche de semi-conducteur dans lequel deux coques externes sensiblement plates ayant la même forme sont en chevauchement dans une direction verticale et une seule tranche de semi-conducteur est stockée, les coques externes ayant, en plus d'un corps principal associé, un moyen de support de tranche et un moyen de formation de paroi externe; le moyen de support de tranche étant conçu pour recevoir les surfaces supérieure et inférieure de la tranche d'une manière sensiblement sans contact et pour fixer et porter les surfaces supérieure et inférieure, le moyen de support de tranche ayant une surface inclinée formée sur la surface supérieure de la coque externe, qui vient en contact de ligne avec le bord périphérique externe de la tranche de semi-conducteur par le dessous, une surface de contact de tranche formée sur la surface inférieure de la coque externe, qui vient en contact de surface avec le bord périphérique externe de la tranche de semi-conducteur par le dessus, et une partie vide à fond peu profond formée au niveau de la partie centrale respective des surfaces supérieure et inférieure de la coque externe de manière à pouvoir recevoir la moitié supérieure ou la moitié inférieure de la tranche; et le moyen de formation de paroi externe a une partie de suspension formée sur le bord périphérique externe de la surface inférieure de la coque externe de façon à former, lorsque les deux coques externes se chevauchent dans la direction verticale et que la tranche de semi-conducteur est stockée, une paroi externe fermée sur l'extérieur de la tranche de semi-conducteur stockée.
(JA) 【課題】半導体ウェハ容器を提供する。 【解決手段】2つの略平面で且つ同一形状の外殻を上下方向で重ね合せて1枚の半導体ウェハを収納する半導体ウェハ容器であって、 前記外殻は、その本体の他、ウェハ保持手段及び外壁形成手段を有し、 前記ウェハ保持手段は、ウェハの上下面を実質的に非接触で収容し、固定保持するためのものであり、半導体ウェハの外周縁と下側から線接触にて接触する外殻の上面に形成される傾斜面と、半導体ウェハの外周縁と上側から面接触にて接触する外殻の下面に形成されるウェハ接触面と、外殻の上下両面の夫々中央部に形成されるウェハの上半分又は下半分を収容し得る底浅の空隙部とを有してなり、 前記外壁形成手段は、2つの外殻を上下方向で重ね合せて半導体ウェハを収納したときに、収容された半導体ウェハの外側に閉じられた外壁を形成するように外殻の下面の外周縁に形成される垂下り部を有してなる、半導体ウェハ容器。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)