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1. (WO2018179770) タングステンターゲット
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国際公開番号: WO/2018/179770 国際出願番号: PCT/JP2018/002559
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 26.01.2018
予備審査請求日: 13.07.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,B22F 3/14 (2006.01) ,B22F 3/15 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
12
成形と焼結の両者を特徴とするもの
14
両者を同時に行なうもの
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
3
成形または焼結方法に特徴がある金属質粉からの工作物または物品の製造;特にそのために適した装置
12
成形と焼結の両者を特徴とするもの
14
両者を同時に行なうもの
15
熱間静水圧プレス
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
太齋 貴文 DASAI,Takafumi; JP
仙田 真一郎 SENDA,Shinichiro; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2017-07039031.03.2017JP
発明の名称: (EN) TUNGSTEN TARGET
(FR) CIBLE EN TUNGSTÈNE
(JA) タングステンターゲット
要約:
(EN) Provided is a tungsten sputtering target with which a deposition speed that does not vary much over the life of the target is obtained. In the tungsten sputtering target, when a cross-section perpendicular to the sputtered plane is analyzed by inverse pole mapping using an electron backscattering diffraction method, the area proportion of crystal grains in which the {100}, {110}, and {111} planes are oriented is 30% or lower for each of these oriented planes, and the total area proportion of crystal grains in which planes other than the {100}, {110}, and {111} planes are oriented is 46% or higher.
(FR) La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique en tungstène avec laquelle une vitesse de dépôt qui ne varie pas beaucoup pendant la durée de vie de la cible est obtenue. Dans la cible de pulvérisation cathodique en tungstène, lorsqu’une section transversale perpendiculaire au plan pulvérisé est analysée par cartographie de pôle inverse au moyen d’un procédé de diffraction de rétrodiffusion d’électrons, la proportion en aire de grains cristallins dans lesquels les plans {100}, {110} et {111} sont orientés est de 30 % ou moins pour chacun de ces plans orientés, et la proportion d’aire totale de grains cristallins dans lesquels des plans autres que les plans {100}, {110} et {111} sont orientés est de 46 % ou plus.
(JA) ターゲットライフにわたって変動の少ない成膜速度が得られるタングステンスパッタリングターゲットを提供する。タングステンスパッタリングターゲットにおいて、スパッタ面に垂直な断面を電子線後方散乱回折法の逆極点マッピングによって分析することで、{100}、{110}、および{111}面が配向している結晶粒の面積割合が、何れの配向面についても30%以下であり、{100}、{110}、および{111}面以外の面が配向している結晶粒の合計の面積割合が46%以上とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)