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1. (WO2018179768) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/179768    International Application No.:    PCT/JP2018/002438
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 27 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/872
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 21/365
H01L 29/06
H01L 29/47
Applicants: TDK CORPORATION
TDK株式会社
Inventors: HIRABAYASHI Jun
平林 潤
FUJITA Minoru
藤田 実
FUKUMITSU Yoshiaki
福光 由章
Title: 半導体装置
Abstract:
【課題】側面に沿ったリーク電流や、側面の割れ、欠け、劈開などが生じにくい縦型構造の半導体装置を提供する。 【解決手段】第1及び第2の電極形成面20a,20bと側面20cとを有する半導体層20と、第1の電極形成面20aに形成されたアノード電極40と、第2の電極形成面20bに形成されたカソード電極50と、第1のエッジE1を覆うよう第1の電極形成面20aから側面20cに亘って連続的に形成された絶縁膜30とを備える。本発明によれば、半導体層20の側面20cが絶縁膜30で覆われていることから、側面20cに沿ったリーク電流が低減される。また、絶縁膜30によって側面20cが保護されることから、側面20cの割れ、欠け、劈開などが生じにくくなる。