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1. (WO2018179742) タンタルスパッタリングターゲット
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国際公開番号: WO/2018/179742 国際出願番号: PCT/JP2018/002154
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 24.01.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 27/02 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
27
レニウムまたはグループ14/00もしくは16/00において述べられていない耐火金属を基とする合金
02
バナジウム,ニオブまたはタンタルを基とする合金
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
永津 光太郎 NAGATSU,Kotaro; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
2017-06848930.03.2017JP
発明の名称: (EN) TANTALUM SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE TANTALE
(JA) タンタルスパッタリングターゲット
要約:
(EN) Provided is a tantalum sputtering target that contributes to improvements in film thickness uniformity during high power sputtering. The tantalum sputtering target has a purity of 99.99% by mass or greater and an average value for Vickers hardness for the sputtering surface of 85 – 110 Hv and satisfies both of the following conditions (1) and (2). (1) When EBSP measurements are made of a cross-section perpendicular to the sputtering surface, the average of the kernel average misorientation (KAM) values is 0.2 – 2.8°. (2) When EBSP measurements are made of a cross-section perpendicular to the sputtering surface, the average value of the {100} plane oriented surface area ratio for which misorientation to the direction of the normal line to the sputtering surface oriented within 15° is 20% or greater.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation de tantale qui contribue à des améliorations de l'uniformité de l'épaisseur du film pendant une pulvérisation à haute puissance. La cible de pulvérisation de tantale présente une pureté supérieure ou égale à 99,99 % en masse et une valeur moyenne pour la dureté Vickers pour la surface de pulvérisation de 85 à 110 Hv, et satisfait les deux conditions suivantes (1) et (2). (1) Lorsque des mesures EBSP sont effectuées d'une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation, la moyenne des valeurs de la désorientation moyenne par noyau (KAM) est de 0,2 à 2,8°. (2) Lorsque des mesures EBSP sont effectuées d'une section transversale perpendiculaire à la surface de pulvérisation, la valeur moyenne du rapport de surface orientée dans le plan {100} pour ladite désorientation relativement à la direction de la ligne normale à la surface de pulvérisation orientée dans 15° est supérieure ou égale à 20 %.
(JA) ハイパワースパッタ時の膜厚均一性を向上させるのに寄与するタンタルスパッタリングターゲットを提供する。純度が99.99質量%以上、スパッタリング面のビッカース硬さの平均値が85~110Hvであり、且つ、次の(1)~(2)のうち両方の条件を満たすタンタルスパッタリングターゲット。 (1)スパッタリング面に垂直な断面をEBSP測定したとき、局所角度方位差(KAM値)の平均値が0.2°~2.8°である。 (2)スパッタリング面に垂直な断面をEBSP測定したとき、スパッタリング面の法線方向に対する方位差が15°以内で配向した{100}面の配向面積率の平均値が20%以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020180125952CN109154074SG11201810892X