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1. (WO2018179704) パターン形成方法
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国際公開番号: WO/2018/179704 国際出願番号: PCT/JP2018/001666
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 19.01.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2017-06193527.03.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約:
(EN) This pattern forming method comprises: a step for applying a composition for underlayer film formation to a substrate; a step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation directly or indirectly to an underlayer film which is formed by the step for applying a composition for underlayer film formation; a step for exposing a resist film to light, said resist film being formed by the step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation; and a step for developing the resist film which has been exposed to light. The composition for underlayer film formation contains at least one of: a first component which produces a component having an acid group that is a sulfo group, a carboxy group, a phosphono group, a phosphoric acid group, a sulfuric acid group, a sulfone amide group, a sulfonyl imide group, a -CRF1RF2OH group or a combination of these groups by the action of heat; and a second component which is other than the first component and has one of the acid groups described above. The radiation sensitive composition for resist film formation contains 50% by mass or more of a metal-containing compound in terms of solid content.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant: une étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche sur un substrat; une étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve directement ou indirectement sur un film de sous-couche qui est formé par l'étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche; une étape consistant à exposer un film de réserve à une lumière, ledit film de réserve étant formé par l'étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve; et une étape consistant à développer le film de réserve qui a été exposé à la lumière. La composition permettant de former un film de sous-couche contient au moins l'un des éléments suivants: un premier composant qui produit un composant contenant un groupe acide, tel qu'un groupe sulfo, un groupe carboxy, un groupe phosphono, un groupe acide phosphorique, un groupe acide sulfurique, un groupe sulfonamide, un groupe sulfonimide, un groupe -CRF1RF2OH ou une combinaison de ces groupes, sous l'effet de la chaleur; et un second composant qui est différent du premier composant et qui contient l'un des groupes acides décrits ci-dessus. La composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve contient au moins 50% en masse d'un composé contenant du métal en termes de teneur en solide.
(JA) 本発明のパターン形成方法は、基板に下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記下層膜形成用組成物塗工工程により形成された下層膜上に直接又は間接にレジスト膜形成用感放射線性組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記下層膜形成用組成物が、スルホ基、カルボキシ基、ホスホノ基、リン酸基、硫酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、-CRF1F2OH又はこれらの組み合わせである酸基を有する成分を熱の作用により発生する第1成分と、上記第1成分以外の成分であって上記酸基を有する第2成分とのうち少なくとも1種を含有し、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物が、金属含有化合物を固形分換算で50質量%以上含有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)