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1. (WO2018179685) 基板処理装置
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国際公開番号: WO/2018/179685 国際出願番号: PCT/JP2018/000912
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 16.01.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B23Q 15/16 (2006.01) ,B24B 37/30 (2012.01) ,B24B 49/10 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
Q
工作機械の細部;構成部分,または付属装置,例.倣いまたは制御装置;特定の細部または構成部分の構造により特徴づけられる工作機械一般;特定の結果を目的としない金属加工機械の組合わせ
15
工具または工作物の送り運動,切削速度または位置の自動制御または調整
007
工具が工作物に作用している間に行われるもの
16
工具摩耗の補償
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
27
ラッピングキャリア
30
平面の片面ラッピングのためのもの
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
49
研削工具または工作物の送り運動を制御するための計測装置;指示または計測装置の構成,例.研削開始を指示するもの
10
電気的装置を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人:
株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP/JP]; 東京都大田区羽田旭町11番1号 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP
発明者:
並木 計介 NAMIKI Keisuke; JP
福島 誠 FUKUSHIMA Makoto; JP
代理人:
大野 聖二 OHNO Seiji; JP
松野 知紘 MATSUNO Tomohiro; JP
小林 英了 KOBAYASHI Hideaki; JP
優先権情報:
2017-07157331.03.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN) A substrate processing device having a substrate polishing unit 40 provided with a polishing pad for polishing a wafer W, and a top ring 41 for holding the wafer and pushing the wafer toward the polishing pad. An elastic film 80 that holds a surface of the wafer W on the side opposite from the polishing surface is attached as an expendable component to the top ring 41. A plurality of distortion sensors 85, 86 that measure distortion occurring in the elastic film 80 during polishing are provided to the elastic film 80, and data of a distortion amount is read out to a control device 15 by detection units 90, 91. The control device 15 sets process conditions such as a polishing recipe for the wafer W on the basis of distortion information of the elastic film 80 measured by the distortion sensors.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comportant une unité de polissage de substrat 40 pourvue d'un tampon de polissage servant à polir une tranche W, et d'une bague supérieure 41 servant à maintenir la tranche et à pousser la tranche en direction du tampon de polissage. Un film élastique 80 qui maintient une surface de la tranche W sur le côté situé à l'opposé de la surface de polissage est fixé en tant que composant extensible à la bague supérieure 41. Plusieurs capteurs de déformation 85, 86 qui mesurent une déformation se produisant dans le film élastique 80 pendant le polissage équipent le film élastique 80, et des données d'une quantité de déformation sont extraites à destination d'un dispositif de commande 15 par des unités de détection 90, 91. Le dispositif de commande 15 définit des conditions de traitement telles qu'une recette de polissage de la tranche W sur la base d'informations de déformation du film élastique 80 mesurées par les capteurs de déformation.
(JA) 基板処理装置は、ウェハWを研磨する研磨パッドと、ウェハを保持して研磨パッドに押しつけるためのトップリング41を備えた基板研磨ユニット40を有する。トップリング41には、ウェハWの研磨面とは反対側の面を保持する弾性膜80が、消耗品として取り付けられている。弾性膜80には、研磨中に弾性膜80に生じる歪みを計測する複数の歪みセンサ85,86が設けられており、検出部90,91によって歪み量のデータが制御装置15読み出される。制御装置15は、歪みセンサで計測された弾性膜80の歪み情報に基づき、ウェハWに対する研磨レシピ等の処理条件を設定する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)