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1. (WO2018179573) パワー半導体モジュール

Pub. No.:    WO/2018/179573    International Application No.:    PCT/JP2017/041164
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 16 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 25/07
H01L 23/24
H01L 23/28
H01L 23/29
H01L 23/31
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YANAURA, Satoshi
柳浦 聡
Title: パワー半導体モジュール
Abstract:
本発明によるパワー半導体モジュールは、金属ベース板と、上記金属ベース板上に配設され、電極を有する絶縁基板と、上記絶縁基板上に配設された半導体素子と、上記絶縁基板および上記半導体素子を取り囲むように上記金属ベース板に配設されたケースと、上記金属ベース板と上記ケースに囲まれた空間内に充填されて、上記絶縁基板および上記半導体素子を封止するポッティング封止剤と、を備え、上記ポッティング封止剤は、シリコーンゲルと、上記ゲルに添加された、シリコン原子とイオン性基を含む導電性付与剤と、を備える。