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1. (WO2018179567) 化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/179567 国際出願番号: PCT/JP2017/040373
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 09.11.2017
予備審査請求日: 02.03.2018
IPC:
C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
出願人:
JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目1番2号 1-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
発明者:
野田 朗 NODA Akira; JP
川平 啓太 KAWAHIRA Keita; JP
平野 立一 HIRANO Ryuichi; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; JP
小越 勇 OGOSHI Isamu; JP
若土 雅之 WAKATSUCHI Masayuki; JP
優先権情報:
2017-07262031.03.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: a Zn-doped InP single crystal substrate having a large diameter of 75 mm or larger, the Zn-doped InP single crystal substrate achieving a high electrical activation rate of Zn over the entire main surface of the substrate even in a highly-doped region in which the Zn concentration is 5 × 1018cm-3 or more; and a method for producing the same. [Solution] Even in a Zn-doped InP single crystal substrate having a diameter of 75 mm or larger and a Zn concentration of 5 × 1018cm-3 or more, the electrical activation rate of Zn is made larger than 85% over the entire main surface of the substrate by, while rotating an InP single crystal ingot at a rotation speed of 10 rpm or lower, cooling the InP single crystal ingot with a temperature difference of 200ºC for 2-7.5 minutes at least when the InP single crystal ingot is cooled, and cutting the InP single crystal ingot into thin plates.
(FR) Le problème à la base de la présente invention concerne : un substrat monocristallin d'InP dopé au Zn présentant un grand diamètre de 75 mm ou plus, le substrat monocristallin d'InP dopé au Zn atteignant un taux d'activation électrique élevé de Zn sur toute la surface principale du substrat, même dans une région fortement dopée dans laquelle la concentration en Zn est de 5 × 1018cm-3 ou plus; et un procédé pour sa production. Selon la solution, même dans un substrat monocristallin d'InP dopé au Zn présentant un diamètre de 75 mm ou plus et une concentration en Zn de 5 × 1018cm-3 ou plus, le taux d'activation électrique de Zn est augmenté à plus de 85 % sur toute la surface principale du substrat par le refroidissement du lingot monocristallin d'InP, tout en le faisant tourner à une vitesse de rotation de 10 tours/minute ou moins, par une différence de température de 200°C pendant 2-7,5 minutes au moins lorsque le lingot monocristallin d'InP est refroidi, et par la découpe du lingot monocristallin d'InP en plaques minces.
(JA) 【課題】直径75mm以上の大口径InP単結晶基板において、Zn濃度が5×1018cm-3以上の高ドープ領域であっても基板の主表面の全面にわたって高いZnの電気的活性化率を実現したZnドープInP単結晶基板、その製造方法を提供する。 【解決手段】回転速度10rpm以下でInP単結晶インゴットを回転させつつ、少なくとも前記InP単結晶インゴットの冷却時に200℃の温度差を2~7.5分の時間で冷却し、これを薄板状に切り出すことにより、直径75mm以上、Zn濃度5×1018cm-3以上のZnドープInP単結晶基板であっても、前記基板の主表面の全面にわたってZnの電気的活性化率が85%を超えるものとする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020190043626CN109963967