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1. (WO2018179507) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Pub. No.:    WO/2018/179507    International Application No.:    PCT/JP2017/034049
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
H01L 21/316
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: YAMAMOTO, Katsuhiko
山本 克彦
OKUNO, Masahisa
奥野 正久
JODA, Takuya
定田 拓也
TATENO, Hideto
立野 秀人
YANAI, Hidehiro
野内 英博
HARA, Daisuke
原 大介
Title: 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abstract:
課題: 過酸化水素を用いた処理を行う際における基板処理装置のダメージを低減させる。 解決手段: 過酸化水素を含む液体原料を気化させて気化ガスを生成する工程と、処理室内の第1領域に収容された基板に対して気化ガスを供給する工程と、を有し、気化ガスを供給する工程では、基板の温度を第1温度に維持し、処理室内のうち第1領域よりも鉛直方向下方に設けられた第2領域に面する部材の温度を、第1温度よりも高く、且つ、気化ガスに含まれる成分が処理室内で液化して第2領域に溜まった際に、第2領域に溜まった過酸化水素を含む液体が爆発的分解反応を起こす状態となる温度よりも低い第2温度に維持する。