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1. (WO2018179496) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
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国際公開番号: WO/2018/179496 国際出願番号: PCT/JP2017/032845
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 12.09.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
優先権情報:
2017-06293128.03.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約:
(EN) Provided is a technique comprising: a step for conveying a substrate to a processing chamber of a substrate processing device, the substrate processing device comprising the processing chamber where the substrate is processed while held by a substrate holding tool, a heating device that heats the substrate via electromagnetic waves, a transfer machine that transfers the substrate to the substrate holding tool, a temperature sensor that measures the temperature of the substrate, a storage unit having a table in which is stored at least a placement position of the substrate placed on the substrate holding tool and a temperature corresponding to the placement position as measured by the temperature sensor, and a control unit that controls the heating device and the transfer machine in accordance with information stored in the storage unit; a step for performing predetermined substrate processing by heating the substrate with the heating device; a step for assessing, after the step for performing substrate processing has ended, the number of times the substrate processing step was performed in the processing chamber; a step for assessing whether adjustment of the position where the substrate is placed on the substrate holding tool is necessary in a case where it has been assessed, in the step for assessing the number of times processing was performed, that processing has been performed a number of times that is at least a predetermined number of times; and a step for determining the placement position of the substrate, in a case where it has been assessed in the step for assessing whether adjustment is necessary that placement position adjustment is necessary, by the control unit comparing the substrate temperature measured during the step for substrate processing with the measurement temperature of the substrate corresponding to the placement position stored in the table.
(FR) L'invention concerne une technique comprenant : une étape de transport d'un substrat vers une chambre de traitement d'un dispositif de traitement de substrat, le dispositif de traitement de substrat comprenant la chambre de traitement où le substrat est traité tout en étant maintenu par un outil de maintien de substrat, un dispositif de chauffage qui chauffe le substrat par l'intermédiaire d'ondes électromagnétiques, une machine de transfert qui transfère le substrat vers l'outil de maintien de substrat, un capteur de température qui mesure la température du substrat, une unité de mémoire ayant une table dans laquelle est stockée au moins une position de placement du substrat placé sur l'outil de maintien de substrat et une température correspondant à la position de placement telle que mesurée par le capteur de température, et une unité de commande qui commande le dispositif de chauffage et la machine de transfert en fonction des informations stockées dans l'unité de mémoire ; une étape consistant à effectuer un traitement de substrat prédéterminé en chauffant le substrat avec le dispositif de chauffage ; une étape d'évaluation, après l'achèvement de l'étape de réalisation d'un traitement de substrat, du nombre de fois que l'étape de traitement de substrat a été effectuée dans la chambre de traitement ; une étape consistant à évaluer si le réglage de la position où le substrat est placé sur l'outil de maintien de substrat est nécessaire dans un cas où il a été évalué, lors de l'étape d'évaluation du nombre de fois qu'un traitement a été effectué, que le traitement a été effectué un certain nombre de fois qui est au moins égal à un nombre prédéterminé de fois ; et une étape de détermination de la position de placement du substrat, dans un cas où il a été évalué lors de l'étape consistant à évaluer si un réglage est nécessaire que le réglage de position de placement est nécessaire, par l'unité de commande en comparant la température de substrat mesurée pendant l'étape de traitement de substrat avec la température de mesure du substrat correspondant à la position de placement stockée dans la table.
(JA) 基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、前記基板を電磁波によって加熱する加熱装置と、前記基板を前記基板保持具に移載する移載機と、前記基板の温度を測定する温度センサと、前記基板保持具に載置される前記基板の載置位置と前記温度センサによって測定された前記載置位置に対応した温度を少なくとも記憶したテーブルを有する記憶部と、前記記憶部に記憶された情報に応じて前記加熱装置と前記移載機とを制御する制御部とを有する基板処理装置の前記処理室に基板を搬送する工程と、前記基板を前記加熱装置で加熱して所定の基板処理を行う工程と、前記基板処理を行う工程が終了した後、前記処理室において前記基板処理工程の回数を判定する工程と、前記回数を判定する工程において、予め定められていた回数以上の処理回数が行われていると判定された場合に前記基板が前記基板保持具に載置される位置の調整要否を判定する工程と、前記調整要否を判定する工程によって載置位置調整が要であると判定した場合に、前記基板処理を行う工程の時に測定した前記基板温度と前記制御部が前記テーブルに記憶されている前記載置位置に対応した前記基板の測定温度とを比較して前記基板の載置位置を決定する工程と、を有する技術を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)