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1. (WO2018179354) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/179354 国際出願番号: PCT/JP2017/013634
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 31.03.2017
IPC:
H01L 21/285 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
出貝 求 DEGAI Motomu; JP
中谷 公彦 NAKATANI Kimihiko; JP
芦原 洋司 ASHIHARA Hiroshi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約:
(EN) [Problem] To provide a technology that enables highly selective growth of a film with respect to a substrate having surfaces of different materials. [Solution] The present invention comprises (a) a step for alternately supplying a metal-containing gas and a reactive gas to a substrate having, formed on the surface thereof, a first metal film and an insulation film requiring a longer incubation time than that of the first metal film, so as to form a second metal film on the substrate, and (b) a step for supplying an etching gas to the substrate so as to remove the second metal film formed on the insulation film while leaving the second metal film formed on the first metal film, wherein steps (a) and (b) are alternately repeated so as to allow the second metal film to be selectively grown on the first metal film.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une technologie qui permet la croissance hautement sélective d'un film par rapport à un substrat ayant des surfaces de différents matériaux. La solution selon l’invention comprend (a) une étape consistant à fournir en alternance un gaz contenant un métal et un gaz réactif à un substrat ayant, formé sur sa surface, un premier film métallique et un film isolant nécessitant un temps d'incubation plus long que celui du premier film métallique, de manière à former un second film métallique sur le substrat, et (b) une étape consistant à fournir un gaz de gravure au substrat de façon à retirer le second film métallique formé sur le film isolant tout en laissant le second film métallique formé sur le premier film métallique, les étapes (a) et (b) sont répétées en alternance de façon à permettre la croissance sélective du second film métallique sur le premier film métallique.
(JA) 課題 材質の異なる表面を有する基板に対して選択性良く膜を選択成長させることができる技術を提供する。 解決手段 (a)表面に、第1の金属膜と、前記第1の金属膜よりインキュベーションタイムが長い絶縁膜とが形成された基板に対して、金属含有ガスと反応ガスとを交互に供給して、前記基板上に第2の金属膜を形成する工程と、(b)前記基板に対して、エッチングガスを供給して、前記第1の金属膜上に形成された前記第2の金属膜を残しつつ、前記絶縁膜上に形成された第2の金属膜を除去する工程と、を有し、(a)と(b)とを交互に繰り返すことにより、前記第1の金属膜上に前記第2の金属膜を選択成長させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)