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1. (WO2018179274) 電力用半導体素子の駆動回路およびモータ駆動装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/179274 国際出願番号: PCT/JP2017/013371
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 30.03.2017
IPC:
H03K 17/08 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08
過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
687
装置が電界効果トランジスタであるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
竹澤 竜一 TAKEZAWA, Ryuichi; JP
小西 恵介 KONISHI, Keisuke; JP
代理人:
高村 順 TAKAMURA, Jun; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) DRIVE CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND MOTOR DRIVE DEVICE
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, ET DISPOSITIF D'ATTAQUE DE MOTEUR
(JA) 電力用半導体素子の駆動回路およびモータ駆動装置
要約:
(EN) A drive circuit (100) for a power semiconductor element is provided with: a power semiconductor element (F1); a gate drive insulation power supply (1) for driving a gate (G) of the power semiconductor element (F1); a voltage increase prevention diode (D3), in which the anode is connected to the gate (G) of the power semiconductor element (F1); a forward bias power supply zener diode (ZD1), in which the cathode is connected to the cathode of the voltage increase prevention diode (D3), and the anode is connected to an emitter (E) of the power semiconductor element (F1); and a voltage adjustment diode (Dx), in which the cathode is connected to the cathode of the voltage increase prevention diode (D3) and the cathode of the forward bias power supply zener diode (ZD1), and the anode is connected to a positive electrode (11) of the gate drive insulation power supply (1).
(FR) L'invention concerne un circuit d'attaque (100) d'un élément à semi-conducteur de puissance, pourvu : d'un élément à semi-conducteur de puissance (F1) ; d'une alimentation électrique d'isolation d'attaque de grille (1) servant à attaquer une grille (G) de l'élément à semi-conducteur de puissance (F1) ; d'une diode de prévention contre une augmentation de tension (D3), dans laquelle l'anode est connectée à la grille (G) de l'élément à semi-conducteur de puissance (F1) ; d'une diode Zener d'alimentation électrique de polarisation dans le sens direct (ZD1), dans laquelle la cathode est connectée à la cathode de la diode de prévention contre une augmentation de tension (D3), et l'anode est connectée à un émetteur (E) de l'élément à semi-conducteur de puissance (F1) ; et d'une diode de réglage de tension (Dx), dans laquelle la cathode est connectée à la cathode de la diode de prévention contre une augmentation de tension (D3) et à la cathode de la diode Zener d'alimentation électrique de polarisation dans le sens direct (ZD1), et l'anode est connectée à une électrode positive (11) de l'alimentation électrique d'isolation d'attaque de grille (1).
(JA) 電力用半導体素子の駆動回路(100)は、電力用半導体素子(F1)と、電力用半導体素子(F1)のゲート(G)を駆動するためのゲート駆動絶縁電源(1)と、アノードが電力用半導体素子(F1)のゲート(G)に接続される電圧上昇防止用ダイオード(D3)と、カソードが電圧上昇防止用ダイオード(D3)のカソードに接続され、アノードが電力用半導体素子(F1)のエミッタ(E)に接続される順バイアス電源用ツェナーダイオード(ZD1)と、カソードが電圧上昇防止用ダイオード(D3)のカソードおよび順バイアス電源用ツェナーダイオード(ZD1)のカソードに接続され、アノードがゲート駆動絶縁電源(1)の正極(11)に接続された電圧調整ダイオード(D)と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN109075781