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1. (WO2018179251) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/179251 国際出願番号: PCT/JP2017/013319
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 30.03.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
発明者:
李 根 LI Gen; JP
山崎 裕久 YAMAZAKI Hirohisa; JP
野々村 一樹 NONOMURA Kazuki; JP
寿崎 健一 SUZAKI Kenichi; JP
竹林 雄二 TAKEBAYASHI Yuji; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a cleaning technique by which a film such as a high dielectric constant oxide film that is difficult to etch by means of a fluorine-containing gas is able to be efficiently removed. [Solution] The present invention comprises: (a) a step for performing a pretreatment by supplying an oxidation gas into a processing chamber to which a high dielectric constant oxide film adheres; (b) a step for supplying a chlorine-based gas into the processing chamber at a first pressure; (c) a step for exhausting the processing chamber; (d) a step for supplying the oxidation gas into the processing chamber; (e) a step for supplying a chlorine-based gas into the processing chamber at a second pressure that is lower than the first pressure; and (f) a step for performing a post-treatment by supplying an oxygen-containing gas, which is different from the oxidation gas, into the processing chamber. By repeating the steps (b)-(e) a predetermined number of times, the high dielectric constant oxide film adhering to the interior of the processing chamber is etched.
(FR) L'invention concerne une technique de nettoyage permettant d'éliminer efficacement un film, tel qu'un film d'oxyde à constante diélectrique élevée, qui est difficile à graver, au moyen d'un gaz contenant du fluor. La présente invention comprend : (a) une étape de pré-traitement par acheminement d'un gaz d'oxydation dans une chambre de traitement sur laquelle adhère un film d'oxyde à constante diélectrique élevée ; (b) une étape d'acheminement d'un gaz à base de chlore dans la chambre de traitement à une première pression ; (c) une étape d'évacuation de la chambre de traitement ; (d) une étape d'acheminement du gaz d'oxydation dans la chambre de traitement ; (e) une étape d'acheminement d'un gaz à base de chlore dans la chambre de traitement à une deuxième pression inférieure à la première pression ; et (f) une étape de post-traitement par acheminement d'un gaz contenant de l'oxygène, différent du gaz d'oxydation, dans la chambre de traitement. La répétition des étapes (b)-(e) un nombre prédéterminé de fois permet de graver le film d'oxyde à constante diélectrique élevée adhérant sur l'intérieur de la chambre de traitement.
(JA) 課題 フッ素含有ガスではエッチングが難しい高誘電率酸化膜等の膜を効率的に除去することができるクリーニング技術を提供する。 解決手段 (a)高誘電率酸化膜が付着した処理室内に、酸化ガスを供給して、前処理を行う工程と、(b)前記処理室に、第1の圧力で、塩素系ガスを供給する工程と、(c)前記処理室を排気する工程と、(d)前記処理室に前記酸化ガスを供給する工程と、(e)前記処理室に、前記第1の圧力より低い第2の圧力で、塩素系ガスを供給する工程と、(f)前記処理室に、前記酸化ガスとは異なる酸素含有ガスを供給して、後処理を行う工程と、を有し、前記(b)~(e)を所定回数、繰り返すことにより、前記処理室内に付着した高誘電率酸化膜をエッチングする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)