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1. (WO2018179193) 記憶素子及び記憶素子の駆動方法

Pub. No.:    WO/2018/179193    International Application No.:    PCT/JP2017/013119
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Mar 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: G11C 11/56
G11C 11/16
G11C 11/18
H01L 21/8239
H01L 27/105
H01L 43/08
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: KANAI Shun
金井 駿
MATSUKURA Fumihiro
松倉 文▲礼▼
OHNO Hideo
大野 英男
Title: 記憶素子及び記憶素子の駆動方法
Abstract:
連続量または多値の離散量を選択値として効率的に記憶することができる記憶素子及び記憶素子の駆動方法を提供する。記憶素子(10)は、記録層(11)、非磁性層(12)、電極(13a)を順番に積層した構造になっている。記録層(11)に対してその磁化容易軸に平行な磁界を印加した状態で、書き込むべき選択値に対応した電界強度を印加してから、電界強度を0にする。記録層(11)の残留磁化が書き込むべき選択値に対応した電界強度に対応する値になる。記録層(11)に読み出し電流(Ir)を流して、ホール抵抗から記憶素子(10)に記憶されている選択値を読み出す。