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1. (WO2018179157) 基板処理装置、ヒータユニットおよび半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/179157 国際出願番号: PCT/JP2017/012974
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 29.03.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
野内 英博 YANAI, Hidehiro; JP
稲田 哲明 INADA, Tetsuaki; JP
立野 秀人 TATENO, Hideto; JP
宮西 裕也 MIYANISHI, Yuya; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, HEATER UNIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, UNITÉ DE CHAUFFAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置、ヒータユニットおよび半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided is a substrate processing device provided with: a reaction tube in which a substrate is housed; a lid portion for closing a furnace opening formed in the reaction tube; a heater disposed on the outer periphery of a side wall in the vicinity of the furnace opening of the reaction tube; a plurality of temperature sensors respectively configured to measure the temperatures at a plurality of mutually different positions in the circumferential direction of the side wall in the vicinity of the furnace opening of the reaction tube; and a control unit configured to control the heater on the basis of respective measurement values according to the plurality of temperature sensors. In this way, heating is performed so as to prevent the development of local deviations in the temperatures of members of which a processing chamber is formed.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant : un tube de réaction dans lequel un substrat est logé; une partie couvercle pour fermer une ouverture de four formée dans le tube de réaction; un dispositif de chauffage disposé sur la périphérie externe d'une paroi latérale à proximité de l'ouverture de four du tube de réaction; une pluralité de capteurs de température respectivement configurés pour mesurer les températures à une pluralité de positions mutuellement différentes dans la direction circonférentielle de la paroi latérale à proximité de l'ouverture de four du tube de réaction; et une unité de commande configurée pour commander le dispositif de chauffage sur la base de valeurs de mesure respectives en fonction de la pluralité de capteurs de température. De cette manière, le chauffage est effectué de façon à empêcher le développement d'écarts locaux dans les températures des éléments dont une chambre de traitement est formée.
(JA) 基板を収容する反応管と、反応管に形成された炉口を閉塞する蓋部と、反応管の炉口近傍の側壁の外周に設けられたヒータと、反応管の炉口近傍の側壁における、側壁の周方向において互いに異なる複数の位置の温度をそれぞれ測定するよう構成された複数の温度センサと、複数の温度センサのそれぞれの測定値に基づいて、ヒータを制御するよう構成された制御部と、を備える基板処理装置を提供する。これにより、処理室を形成する部材の温度に局所的な偏りが生じることを防止するように加熱を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)