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1. (WO2018179038) 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/179038 国際出願番号: PCT/JP2017/012314
国際公開日: 04.10.2018 国際出願日: 27.03.2017
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/115 (2017.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
112
リードオンリーメモリ構造
115
電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788
浮遊ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
792
電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
竹島 雄一郎 TAKESHIMA Yuichiro; JP
中山 雅則 NAKAYAMA Masanori; JP
舟木 克典 FUNAKI Katsunori; JP
坪田 康寿 TSUBOTA Yasutoshi; JP
井川 博登 IGAWA Hiroto; JP
代理人:
特許業務法人アイ・ピー・ウィン PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; 神奈川県横浜市神奈川区栄町10番地35 ポートサイドダイヤビル Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, PROGRAM AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROGRAMME ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
要約:
(EN) Provided is a technique whereby, in a semiconductor device production step, when a film formed on an inner surface of a recessed structure having a high aspect ratio is modified from the film surface to form a modified layer, the modification is performed in such a manner that the thickness of the modified layer in the depth direction of the recessed structure exhibits an intended distribution to raise the electric characteristics of the device. The invention comprises the step of exciting a processing gas containing an oxygen-containing gas and a hydrogen-containing gas to generate an oxygen active species and a hydrogen active species, and the step of supplying the oxygen active species and the hydrogen active species to a substrate having formed therein the recessed structure, to oxidize the film formed on the inner surface of the recessed structure, from the surface thereof, to form an oxidized layer. In the step of forming the oxidized layer, the oxidized layer is formed such that the thickness on the inner surface of the recessed structure becomes greater than the thickness in the top end portion thereof by setting the ratio of the hydrogen active species in the total flow rate of the oxygen active species and the hydrogen active species supplied to the substrate to a predetermined ratio that is greater than a first ratio at which the speed of oxidized layer formation in the top end portion of the recessed structure is maximum.
(FR) La présente invention concerne une technique selon laquelle, dans une étape de fabrication de dispositif à semi-conducteur, lorsqu'un film formé sur une surface interne d'une structure évidée ayant un rapport d'aspect élevé est modifié à partir de la surface de film pour former une couche modifiée, la modification est réalisée de telle sorte que l'épaisseur de la couche modifiée dans la direction de profondeur de la structure évidée présente une distribution prévue pour améliorer les caractéristiques électriques du dispositif. L'invention comprend l'étape d'excitation d'un gaz de traitement contenant un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant de l'hydrogène pour générer une espèce active d'oxygène et une espèce active d'hydrogène, et l'étape de fourniture de l'espèce active d'oxygène et de l'espèce active d'hydrogène à un substrat formé à l'intérieur de la structure évidée, pour oxyder le film formé sur la surface interne de la structure évidée, à partir de sa surface, pour former une couche oxydée. Dans l'étape de formation de la couche oxydée, la couche oxydée est formée de telle sorte que l'épaisseur sur la surface interne de la structure évidée devient supérieure à l'épaisseur dans sa partie extrémité supérieure par réglage du rapport de l'espèce active d'hydrogène dans le débit total de l'espèce active d'oxygène et de l'espèce active d'hydrogène fournie au substrat à un rapport prédéterminé qui est supérieur à un premier rapport auquel la vitesse de formation de couche oxydée dans la partie extrémité supérieure de la structure évidée est maximale.
(JA) 半導体デバイスの製造工程にて、高アスペクト比の凹状構造内面に形成された膜を膜表面から改質して改質層を形成する際に、凹状構造の深さ方向における改質層の厚さが所望の分布になるように改質して、デバイスの電気的特性を高める技術を提供する。 酸素含有ガスと水素含有ガスを含む処理ガスを励起して、酸素活性種と水素活性種を生成する工程と、酸素活性種と水素活性種を凹状構造が形成された基板に供給し、凹状構造の内面に形成された膜を表面から酸化して酸化層を形成する工程と、を有し、酸化層を形成する工程では、基板に供給される酸素活性種と水素活性種の総流量における水素活性種の比率を、凹状構造の上端部において酸化層が形成される速度が最大となる第1の比率よりも大きい所定の比率にして、凹状構造の内面において上端部における厚さよりも厚さが大きくなるように形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)