国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018179023) 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/179023    International Application No.:    PCT/JP2017/012229
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/60
H01L 23/48
H01L 23/50
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: KIMOTO Nobuyoshi
木本 信義
AIKO Mitsunori
愛甲 光徳
SHIRASAWA Takaaki
白澤 敬昭
Title: 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
工数の増加を抑制し、かつ、半導体素子の電極におけるリードフレームの接合部の周縁部に生じる応力を緩和することが可能な技術を提供することを目的とする。半導体装置30は、ヒートスプレッダ1上に搭載された半導体素子3と、接合材としてのはんだ2bを介して半導体素子3のエミッタ電極3aと接合されたリードフレーム6と、エミッタ電極3aの表面に形成された金属膜4と、金属膜4の表面に形成された酸化防止膜5とを備えている。金属膜4の周縁部は、全周に渡って酸化防止膜5から露出している。