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1. (WO2018178793) 半導体装置、半導体装置の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/178793    International Application No.:    PCT/IB2018/051726
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 21/3065
H01L 21/336
H01L 21/8234
H01L 21/8242
H01L 27/06
H01L 27/088
H01L 27/108
H01L 27/1156
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: ASAMI, Yoshinobu
浅見良信
Title: 半導体装置、半導体装置の作製方法
Abstract:
要約書 微細化又は高集積化可能な半導体装置、及び半導体装置の作製を提供する。 第1の絶縁体と、 第1の絶縁体上の酸化物と、 酸化物上の第2の絶縁体、 及び、 第1及び第2の導電 体と、 第2の絶縁体上の第3の導電体と、 第1の導電体上の第4の導電体と、 第2の導電体上の第5 の導電体と、 第1の絶縁体、 及び、 第1及び第2の導電体上の第3の絶縁体と、 第2及び第3の絶縁 体、 及び第3の導電体上の第4の絶縁体と、 第4の絶縁体上の第5の絶縁体と、 を有し、 第1及び第 2の導電体は、 第2の絶縁体を挟んで対向して設け、 第2の絶縁体は、 第3の絶縁体に設けた開口の 内壁、 第1及び第2の導電体の対向する側面、 及び酸化物の上面に沿って設け、 第3の導電体の上面 高さは、 第2及び第3の絶縁体の上面高さよりも高くし、 第4の絶縁体は、 第2及び第3の絶縁体の 上面、及び、第3の導電体の上面及び側面に沿って設ける。