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1. (WO2018173851) 記憶装置

Pub. No.:    WO/2018/173851    International Application No.:    PCT/JP2018/009682
Publication Date: Fri Sep 28 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 14 00:59:59 CET 2018
IPC: G11C 13/00
G11C 5/02
G11C 29/00
H01L 21/8239
H01L 27/10
H01L 27/105
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: TERADA, Haruhiko
寺田 晴彦
KITAGAWA, Makoto
北川 真
SHIBAHARA, Yoshiyuki
柴原 禎之
MORI, Yotaro
森 陽太郎
Title: 記憶装置
Abstract:
本開示の記憶装置は、第1の方向に延伸し、複数の第1の選択線および複数の第2の選択線を含む複数の第1の配線と、第1の方向と交差する第2の方向に延伸し、複数の第3の選択線および複数の第4の選択線を含む複数の第2の配線と、複数の第1のメモリセルと、第1の選択制御信号に基づいて複数の第1の選択線を駆動する第1の選択線駆動部と、第1の選択制御信号に基づいて複数の第2の選択線を駆動する第2の選択線駆動部とを有し、第1および第2の選択線駆動部が第1の方向に並設された第1の駆動部と、第2の選択制御信号に基づいて複数の第3の選択線を駆動する第3の選択線駆動部と、第2の選択制御信号に基づいて複数の第4の選択線を駆動する第4の選択線駆動部とを有し、第3および第4の選択線駆動部が第2の方向に並設された第2の駆動部とを備える。