WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
オプション
検索言語
語幹処理適用
並び替え:
表示件数
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018173789) 撮像素子、電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/173789 国際出願番号: PCT/JP2018/009145
国際公開日: 27.09.2018 国際出願日: 09.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/225 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
222
スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225
テレビジョンカメラ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者: KUMAGAI Yoshimichi; JP
ABE Takashi; JP
YOSHITA Ryoto; JP
YAMAMURA Ikuhiro; JP
代理人: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-05531022.03.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、電子機器
要約:
(EN) The present invention pertains to an imaging element and an electronic device, whereby a better pixel signal can be obtained. The present invention comprises: a photoelectric conversion unit that converts received light into an electric charge; and a holding unit that holds electric charge transferred from the photoelectric conversion unit. The photoelectric conversion unit and the holding unit are formed inside a semiconductor substrate having a prescribed thickness. The holding unit is formed having a thickness of no more than half the prescribed thickness. An electric charge capturing area that captures electric charge is also provided, further on the light incident side than the area where the holding unit is formed. A light-blocking unit that blocks light is also formed between the photoelectric conversion unit and the electric charge capturing area. This technology can be applied to an imaging element.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie et un dispositif électronique, un meilleur signal de pixel pouvant être obtenu. La présente invention comprend : une unité de conversion photoélectrique qui convertit la lumière reçue en une charge électrique; et une unité de maintien qui maintient une charge électrique transférée à partir de l'unité de conversion photoélectrique. L'unité de conversion photoélectrique et l'unité de maintien sont formées à l'intérieur d'un substrat semiconducteur ayant une épaisseur prescrite. L'unité de maintien est formée d'une épaisseur ne dépassant pas la moitié de l'épaisseur prescrite. Une zone de capture de charge électrique qui capture une charge électrique est également fournie, plus loin sur le côté d'incidence de lumière que la zone où l'unité de maintien est formée. Une unité de blocage de lumière qui bloque la lumière est également formée entre l'unité de conversion photoélectrique et la zone de capture de charge électrique. Cette technologie peut être appliquée à un élément d'imagerie.
(JA) 本開示は、より良好な画素信号を得ることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 受光した光を電荷に変換する光電変換部と、光電変換部から転送されてきた電荷を保持する保持部とを備え、光電変換部と保持部は、所定の厚さを有する半導体基板内に形成され、保持部は、所定の厚さの半分の厚さ以下で形成されている。保持部が形成されている領域より光入射側に、電荷を捕獲する電荷捕獲領域をさらに備える。光電変換部と電荷捕獲領域との間に、光を遮光する遮光部がさらに形成されている。本技術は、撮像素子に適用できる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)