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1. (WO2018173788) 撮像素子、電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/173788 国際出願番号: PCT/JP2018/009144
国際公開日: 27.09.2018 国際出願日: 09.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/225 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
222
スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225
テレビジョンカメラ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者: KUMAGAI Yoshimichi; JP
ABE Takashi; JP
YOSHITA Ryoto; JP
代理人: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-05530922.03.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、電子機器
要約:
(EN) The present invention pertains to an imaging element and an electronic device, whereby a better pixel signal can be obtained. The present invention comprises: a photoelectric conversion unit that converts received light into an electric charge; a holding unit that holds electric charge transferred from the photoelectric conversion unit; and a light-blocking unit that blocks light, between the photoelectric conversion unit and the holding unit. The photoelectric conversion unit, the holding unit, and the light-blocking unit are formed inside a semiconductor substrate having a prescribed thickness. The light-blocking unit in a transfer area in which the electric charge is transferred from the photoelectric conversion unit to the holding unit is formed as a non-penetrating light-blocking unit that does not penetrate the semiconductor substrate. The light-blocking unit outside the transfer area is formed as a penetrating light-blocking unit that penetrates the semiconductor substrate. This technology can be applied to an imaging element.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie et un dispositif électronique, par lesquels un meilleur signal de pixel peut être obtenu. La présente invention comprend : une unité de conversion photoélectrique qui convertit la lumière reçue en une charge électrique; une unité de maintien qui maintient une charge électrique transférée à partir de l'unité de conversion photoélectrique; et une unité de blocage de lumière qui bloque la lumière, entre l'unité de conversion photoélectrique et l'unité de maintien. L'unité de conversion photoélectrique, l'unité de maintien et l'unité de blocage de lumière sont formées à l'intérieur d'un substrat semiconducteur ayant une épaisseur prescrite. L'unité de blocage de lumière dans une zone de transfert dans laquelle la charge électrique est transférée de l'unité de conversion photoélectrique à l'unité de maintien est formée en tant qu'unité de blocage de lumière non pénétrante qui ne pénètre pas dans le substrat semiconducteur. L'unité de blocage de lumière à l'extérieur de la zone de transfert est formée en tant qu'unité de blocage de lumière pénétrante qui pénètre dans le substrat semiconducteur. Cette technologie peut être appliquée à un élément d'imagerie.
(JA) 本開示は、より良好な画素信号を得ることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 受光した光を電荷に変換する光電変換部と、光電変換部から転送されてきた電荷を保持する保持部と光電変換部と保持部との間に、光を遮光する遮光部とを備え、光電変換部、保持部、および遮光部は、所定の厚さを有する半導体基板内に形成され、光電変換部から保持部に電荷を転送する転送領域の遮光部は、半導体基板を貫通しない非貫通遮光部として形成され、転送領域以外の遮光部は、半導体基板を貫通する貫通遮光部として形成されている。本技術は、撮像素子に適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)