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1. (WO2018173493) 半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/173493    International Application No.:    PCT/JP2018/003163
Publication Date: Fri Sep 28 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Feb 01 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/52
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TANIGAKI, Tsuyoshi
谷垣 剛司
Title: 半導体装置及びその製造方法
Abstract:
電子部品同士が金属ナノ粒子焼結層を介して電気的に接合された半導体装置において、前記金属ナノ粒子焼結層の内部に、前記電子部品の表面に設けられたメタライズ層を構成する金属が拡散してTEM-EDS分析で前記金属が10質量%以上100質量%未満存在する金属拡散領域が形成されており、前記金属拡散領域の厚みを前記メタライズ層の厚みよりも小さくする。