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1. (WO2018173477) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/173477    International Application No.:    PCT/JP2018/002487
Publication Date: Fri Sep 28 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 27 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: NAGAOKA Tatsuji
永岡 達司
YAMASHITA Yusuke
山下 侑佑
URAKAMI Yasushi
浦上 泰
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、上面と下面とを有する半導体基板と、半導体基板の上面に設けられた上面電極と、半導体基板の下面に設けられた下面電極とを備える。半導体基板は、平面視したときに、半導体基板の中心を含む第1範囲と、第1範囲と半導体基板の外周縁との間に位置する第2範囲とを有する。第1範囲と第2範囲のそれぞれには、ボディダイオードを内蔵するMOSFET構造が設けられている。MOSFET構造は、同じ電流密度に対するボディダイオードの順方向電圧が第1範囲において第2範囲よりも高くなるように、第1範囲と第2範囲との間で互いに相違する。