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1. (WO2018173446) パターン形成方法
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国際公開番号: WO/2018/173446 国際出願番号: PCT/JP2018/001668
国際公開日: 27.09.2018 国際出願日: 19.01.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2017-05667822.03.2017JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約:
(EN) This pattern forming method comprises: a step for coating a substrate with an underlayer film-forming composition; a step for directly or indirectly coating a underlayer film formed in the underlayer film-forming composition coating step with a resist film-forming radiation sensitive composition; a step for exposing the resist film formed in the resist film-forming radiation sensitive composition coating step; and a step for developing the exposed resist film, wherein the underlayer film-forming composition contains a radiation sensitive base generator for generating a base through the effect of radiation or a radiation sensitive acid generator for generating an acid through the effect of radiation, and the resist film-forming radiation sensitive composition contains 50% or more by mass, in terms of the solid content, of a metal-containing compound. Preferably, the underlayer film forming composition further contains an organic polymer, and an organic underlayer film is formed in the underlayer film-forming composition coating step. The carbon content in the organic underlayer film is preferably 50% by mass or more.
(FR) Selon la présente invention, ce procédé de formation de motif comprend : une étape de revêtement d'un substrat d'une composition de formation de film de sous-couche ; une étape de revêtement direct ou indirect d'un film de sous-couche formé dans l'étape de revêtement de composition de formation de film de sous-couche d'une composition sensible au rayonnement de formation de film de réserve ; une étape d'exposition du film de réserve formé dans l'étape de revêtement de composition sensible au rayonnement de formation de film de réserve ; et une étape de développement du film de réserve exposé, la composition de formation de film de sous-couche contenant un générateur de base sensible au rayonnement permettant de générer une base par l'effet d'un rayonnement ou d'un générateur d'acide sensible au rayonnement permettant de générer un acide par l'effet du rayonnement, et la composition sensible au rayonnement formant un film de réserve contient 50 % ou plus en masse, en termes de teneur en solides, d'un composé contenant du métal. De préférence, la composition de formation de film de sous-couche contient en outre un polymère organique, et un film de sous-couche organique est formé dans l'étape de revêtement de composition de formation de film de sous-couche. La teneur en carbone dans le film de sous-couche organique est de préférence de 50 % en masse ou plus.
(JA) 本発明のパターン形成方法は、基板に下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記下層膜形成用組成物塗工工程により形成された下層膜上に直接又は間接にレジスト膜形成用感放射線性組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記下層膜形成用組成物が、放射線の作用により塩基を発生する感放射線性塩基発生剤、又は放射線の作用により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有し、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物が、金属含有化合物を固形分換算で50質量%以上含有する。上記下層膜形成用組成物が有機重合体をさらに含有し、上記下層膜形成用組成物塗工工程で、有機下層膜を形成するとよい。上記有機下層膜における炭素含有率としては、50質量%以上が好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)