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1. (WO2018173197) 発熱体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/173197 国際出願番号: PCT/JP2017/011735
国際公開日: 27.09.2018 国際出願日: 23.03.2017
IPC:
H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
柳沢 愛彦 YANAGISAWA, Yoshihiko; JP
廣地 志有 HIROCHI, Yukitomo; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) HEAT GENERATING BODY, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CORPS GÉNÉRATEUR DE CHALEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 発熱体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a technology of having a heat generating body to be used in a substrate treatment device, which heats and treats, using microwaves, a substrate held by a substrate holding tool. The heat generating body is formed in an annular shape using a dielectric material that generates heat when the microwaves are applied, the inner periphery of the heat generating body is positioned outside of the outer periphery of the substrate, and at a position not in contact with the substrate, the heat generating body is held by the substrate holding tool.
(FR) La présente invention concerne une technologie d'utilisation d'un corps générateur de chaleur destiné à être utilisé dans un dispositif de traitement de substrat, qui chauffe et traite, à l'aide de micro-ondes, un substrat maintenu par un outil de maintien de substrat. Le corps générateur de chaleur est formé de manière à présenter une forme annulaire, à partir d'un matériau diélectrique qui génère de la chaleur lorsque les micro-ondes sont appliquées, la périphérie interne du corps générateur de chaleur est positionnée à l'extérieur de la périphérie externe du substrat et dans une position qui n'est pas en contact avec le substrat, et le corps générateur de chaleur est maintenu par l'outil de maintien de substrat.
(JA) マイクロ波によって基板保持具に保持された基板を加熱し、処理する基板処理装置に用いられる発熱体であって、前記マイクロ波によって発熱する誘電体によって環状に形成され、前記基板の外周よりも外側に内周が位置するとともに前記基板と接触しない位置で前記基板保持具に保持される発熱体を有する技術を提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)