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1. (WO2018173125) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/173125 国際出願番号: PCT/JP2017/011256
国際公開日: 27.09.2018 国際出願日: 21.03.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: HASEGAWA, Yuki; JP
代理人: TAKAMURA, Jun; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND SOLAR MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE ET MODULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
要約:
(EN) The present invention comprises: a silicon substrate of a first conduction type; a rear surface passivation film that is formed on the rear surface of the silicon substrate facing a light receiving surface; a plurality of contact holes (7) that pass through the rear surface passivation film and reach a surface layer of the rear surface of the silicon substrate from the surface of the rear surface passivation film; a plurality of first rear surface electrodes (13b) that are provided along a first direction on the rear surface passivation film and are used for connecting strip-like tab lines (20) along the first direction; and a rear surface collector electrode (13a) that connects the silicon substrate inside the contact holes (7) and the first rear surface electrodes (13b). A solar cell (10) is provided with the contact holes (7), avoiding areas neighboring the first rear surface electrodes (13b) in the first direction.
(FR) La présente invention comprend : un substrat de silicium d'un premier type de conduction ; un film de passivation de surface arrière qui est formé sur la surface arrière du substrat de silicium faisant face à une surface de réception de lumière ; une pluralité de trous de contact (7) qui passent par le film de passivation de surface arrière et atteignent une couche de surface de la surface arrière du substrat de silicium à partir de la surface du film de passivation de surface arrière ; une pluralité de premières électrodes de surface arrière (13b) qui sont disposées le long d'une première direction sur le film de passivation de surface arrière et sont utilisées pour connecter des lignes de languette de type bande (20) le long de la première direction ; et une électrode de collecteur de surface arrière (13a) qui connecte le substrat de silicium à l'intérieur des trous de contact (7) et les premières électrodes de surface arrière (13b). Une cellule solaire (10) est pourvue des trous de contact (7), évitant des zones voisines des premières électrodes de surface arrière (13b) dans la première direction.
(JA) 第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板において受光面と対向する裏面に形成された裏面パッシベーション膜と、裏面パッシベーション膜を貫通して裏面パッシベーション膜の表面からシリコン基板の裏面の表層に達する複数のコンタクトホール(7)と、裏面パッシベーション膜上に第1の方向に沿って設けられ、第1の方向に沿った帯状のタブ線(20)を接続するための複数の第1の裏面電極(13b)と、コンタクトホール(7)内のシリコン基板と第1の裏面電極(13b)とを接続する裏面集電電極(13a)と、を備える。太陽電池セル(10)は、第1の方向において第1の裏面電極(13b)に隣り合う領域を避けてコンタクトホール(7)が設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)