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1. (WO2018168785) ヘテロ接合型太陽電池の製造方法、ヘテロ接合型太陽電池およびヘテロ接合型結晶シリコン電子デバイス

Pub. No.:    WO/2018/168785    International Application No.:    PCT/JP2018/009536
Publication Date: Fri Sep 21 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 13 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 31/0747
H01L 31/18
Applicants: JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
Inventors: MATSUMURA Hideki
松村 英樹
OHDAIRA Keisuke
大平 圭介
KOYAMA Koichi
小山 晃一
Title: ヘテロ接合型太陽電池の製造方法、ヘテロ接合型太陽電池およびヘテロ接合型結晶シリコン電子デバイス
Abstract:
c-Si基板(205)とn-a-Si層(207)とのヘテロ接合を有するヘテロ接合型太陽電池の製造方法は、c-Si基板(205)上にi-a-Si層(204)とp-a-Si層(203)とを形成するアモルファスシリコン層形成工程と、i-a-Si層(204)とp-a-Si層(203)とにPイオンを注入する第1イオン注入工程と、c-Si基板(205)とi-a-Si層(204)およびp-a-Si層(203)とに水素イオンを注入する第2イオン注入工程と、を含む。